| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-39页 |
| ·半导体薄膜材料概述 | 第12-16页 |
| ·引言 | 第12页 |
| ·半导体薄膜材料的性质 | 第12-14页 |
| ·半导体薄膜材料的光电性质 | 第14-16页 |
| ·ZnO 基薄膜材料 | 第16-23页 |
| ·ZnO 基的晶体结构 | 第16-17页 |
| ·ZnO 的基本性质 | 第17-21页 |
| ·ZnO 薄膜的应用 | 第21-23页 |
| ·ZnO 薄膜研究存在的问题 | 第23页 |
| ·Ti0_2 基薄膜材料 | 第23-31页 |
| ·Ti0_2 的晶体结构 | 第23-25页 |
| ·Ti0_2 的基本性质 | 第25-27页 |
| ·Ti0_2 薄膜的应用 | 第27-30页 |
| ·Ti0_2 薄膜研究存在的问题 | 第30-31页 |
| ·金属离子的掺杂 | 第31-32页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第32-37页 |
| ·磁控溅射 | 第32-33页 |
| ·喷雾热分解 | 第33页 |
| ·分子束外延 | 第33页 |
| ·化学气相沉积 | 第33-34页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第34-37页 |
| ·本文研究内容 | 第37-39页 |
| 第2章 XeCl 准分子激光器的优化设计和调试 | 第39-56页 |
| ·准分子激光器 | 第39-40页 |
| ·准分子激光的特点 | 第40-41页 |
| ·XeCl 准分子激光器的工作原理 | 第41-44页 |
| ·XeCl 准分子的产生 | 第41-42页 |
| ·激励电路的放电 | 第42-43页 |
| ·能级跃迁产生激光 | 第43-44页 |
| ·XeCl 准分子激光器的优化设计 | 第44-50页 |
| ·电路参数选择 | 第44-46页 |
| ·气体参数的选择 | 第46-47页 |
| ·正交优化实验和模拟结果 | 第47-50页 |
| ·XeCl 准分子激光的调试 | 第50-56页 |
| ·XeCl 准分子激光的光路调试 | 第51-52页 |
| ·XeCl 准分子激光器的气路调试 | 第52-54页 |
| ·XeCl 准分子激光器的电路调试 | 第54页 |
| ·实验结果 | 第54-56页 |
| 第3章 Co 掺杂ZnO 薄膜的制备及表征 | 第56-66页 |
| ·制备Co 掺杂ZnO 基薄膜的实验材料及预处理 | 第56-57页 |
| ·实验材料 | 第56-57页 |
| ·实验材料的预处理 | 第57页 |
| ·实验设备 | 第57-58页 |
| ·薄膜的制备 | 第58-59页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第58页 |
| ·薄膜的制备方案 | 第58-59页 |
| ·Zn_(1 x)Co_xO 薄膜的表征 | 第59-65页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第59-62页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第62-63页 |
| ·光学特性 | 第63-65页 |
| ·小结 | 第65-66页 |
| 第4章 Ho 掺杂的Ti0_2 薄膜的制备及表征 | 第66-74页 |
| ·制备Ho 掺杂Ti0_2 基薄膜的实验材料及预处理 | 第66-67页 |
| ·实验材料 | 第66页 |
| ·实验材料的预处理 | 第66-67页 |
| ·实验设备 | 第67-68页 |
| ·薄膜的制备 | 第68-69页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第68页 |
| ·薄膜的制备方案 | 第68-69页 |
| ·Ti_(1-x)Ho_xO 薄膜的表征 | 第69-73页 |
| ·X 射线衍射(XRD | 第69-71页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM | 第71页 |
| ·光致发光(PL)光谱 | 第71-73页 |
| ·小结 | 第73-74页 |
| 结论 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-84页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第84-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |