电沉积制备Cu（In，Ga）Se2薄膜性能的研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| ·太阳电池的研究背景 | 第9-10页 |
| ·CIGS 薄膜太阳电池的发展现状 | 第10-11页 |
| ·国外发展现状 | 第10-11页 |
| ·国内发展现状 | 第11页 |
| ·电沉积法制备CIGS 薄膜太阳电池 | 第11-14页 |
| ·电沉积CIGS 薄膜的原理 | 第12-13页 |
| ·电沉积CIGS 薄膜的影响因素 | 第13-14页 |
| ·电沉积CIGS 薄膜太阳电池的研究概况 | 第14-16页 |
| ·国外研究概况 | 第14-16页 |
| ·国内研究概况 | 第16页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 实验方法 | 第18-28页 |
| ·CIGS 预置层的电沉积 | 第18-20页 |
| ·实验装置 | 第18页 |
| ·实验材料 | 第18-19页 |
| ·工艺流程 | 第19-20页 |
| ·CIGS 预置层的热处理 | 第20-22页 |
| ·硒化处理 | 第20-21页 |
| ·硒化前后的蒸发处理 | 第21-22页 |
| ·电池的制备 | 第22-23页 |
| ·CIGS 薄膜的测试方法 | 第23-28页 |
| ·X 射线荧光光谱仪(XRF) | 第23-24页 |
| ·X 射线衍射仪(XRD) | 第24-25页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第25-26页 |
| ·电池性能测试 | 第26-28页 |
| 第三章 实验结果与分析 | 第28-51页 |
| ·CIGS 预置层的电沉积 | 第28-35页 |
| ·贫Cu 预置层的成分分析 | 第28-31页 |
| ·富Cu 预置层的成分分析 | 第31-33页 |
| ·预置层晶相结构分析 | 第33-34页 |
| ·预置层表面形貌分析 | 第34-35页 |
| ·贫Cu 预置层的硒化 | 第35-41页 |
| ·硒源温度对薄膜性能的影响 | 第35-37页 |
| ·衬底温度对薄膜性能的影响 | 第37-39页 |
| ·快速加热对薄膜性能的影响 | 第39-41页 |
| ·富Cu 预置层的硒化 | 第41-45页 |
| ·预置层的蒸发处理 | 第45-50页 |
| ·硒化后蒸发处理的研究 | 第45-48页 |
| ·硒化前蒸发处理的研究 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
