半导体纳米材料制备与性能研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| ·半导体纳米材料 | 第10页 |
| ·半导体纳米材料的性质及其应用 | 第10-12页 |
| ·AlN纳米材料的物理性质及其应用 | 第10-11页 |
| ·ZnO纳米材料的物理性质及其应用 | 第11-12页 |
| ·半导体纳米材料的制备方法研究进展 | 第12-16页 |
| ·AlN纳米材料的制备方法研究进展 | 第12-13页 |
| ·ZnO纳米材料的制备方法研究进展 | 第13-16页 |
| ·本论文的研究目际 | 第16-18页 |
| 第二章 制备仪器、测试分设备原理及介绍 | 第18-25页 |
| ·制备仪器介绍 | 第18-20页 |
| ·高温电阻蒸发设备 | 第18-19页 |
| ·快速升温管式炉 | 第19页 |
| ·离心匀胶机 | 第19-20页 |
| ·测试分析设备介绍 | 第20-25页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第20-21页 |
| ·高分辨电子显微镜 | 第21-22页 |
| ·X射线衍射仪 | 第22-23页 |
| ·显微激光拉曼光谱仪 | 第23-24页 |
| ·紫外-可见分光光度计 | 第24页 |
| ·光致发光光潜 | 第24-25页 |
| 第三章 AlN纳米线宏观阵列制备与结果分析 | 第25-46页 |
| ·AlN纳米线宏观阵列的制备 | 第25-30页 |
| ·在基板上制备单层PS球阵列 | 第25-27页 |
| ·Al纳米颗粒模板制备 | 第27-29页 |
| ·模板法制备AlN纳米线宏观阵列 | 第29-30页 |
| ·AlN纳米线宏观阵列的表征与分析 | 第30-40页 |
| ·单层PS球阵列表征与分析 | 第30-33页 |
| ·Al纳米颗粒模板表征与分析 | 第33-35页 |
| ·AlN纳米线宏观阵列的表征与分析 | 第35-40页 |
| ·AlN纳米线光学性能测试与分析 | 第40-42页 |
| ·AlN纳米线的拉曼光谱分析 | 第40页 |
| ·AlN纳米线的紫外-可见光谱分析 | 第40-41页 |
| ·AlN纳米线的光致发光光谱分析 | 第41-42页 |
| ·AlN纳米线宏观阵列的生长机理 | 第42-44页 |
| ·结论 | 第44-46页 |
| 第四章 ZnO薄膜的制备与结果分析 | 第46-55页 |
| ·ZnO薄膜的制备 | 第46-48页 |
| ·ZnO薄膜的表征与分析 | 第48-49页 |
| ·ZnO薄膜的光学特性 | 第49-54页 |
| ·ZnO薄膜透射光谱的分析 | 第49-50页 |
| ·ZnO薄膜的吸收系数和禁带宽度 | 第50-53页 |
| ·ZnO薄膜的I-V特性 | 第53-54页 |
| ·结论 | 第54-55页 |
| 第五章 结论 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 在学研究成果 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
