| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-55页 |
| ·引言 | 第13-15页 |
| ·光电催化概述 | 第15-41页 |
| ·光电催化的发展概况 | 第15-17页 |
| ·光电催化的工作原理 | 第17-18页 |
| ·光电催化的电极材料 | 第18-26页 |
| ·光电催化的电极材料的优化 | 第26-41页 |
| ·纳米阵列结构在光电催化领域的优势 | 第41-46页 |
| ·纳米阵列结构对光吸收的影响 | 第43-45页 |
| ·纳米阵列结构对电荷分离/传导的影响 | 第45-46页 |
| ·纳米阵列结构对表面反应的影响 | 第46页 |
| ·本论文的选题背景和研究内容 | 第46-49页 |
| 参考文献 | 第49-55页 |
| 第2章 BiVO_4纳米墙阵列的合成及其光电催化性能研究 | 第55-71页 |
| ·合成背景和合成思路的提出 | 第55-56页 |
| ·实验部分 | 第56-57页 |
| ·纳米墙阵列的制备 | 第56-57页 |
| ·表征手段 | 第57页 |
| ·光电催化性能测试 | 第57页 |
| ·分析与讨论 | 第57-65页 |
| ·产物的表征 | 第57-60页 |
| ·形成机理的研究 | 第60-65页 |
| ·光电催化性能研究 | 第65-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
| 第3章 Co-Pi/BiVO_4纳米墙阵列的合成及其光电催化性能研究 | 第71-87页 |
| ·合成背景和合成思路的提出 | 第71-72页 |
| ·实验部分 | 第72-74页 |
| ·BiVO_4薄膜的制备 | 第72-73页 |
| ·析氧催化剂的沉积 | 第73页 |
| ·表征手段 | 第73页 |
| ·光电催化性能测试 | 第73-74页 |
| ·分析与讨论 | 第74-77页 |
| ·BiVO_4纳米墙阵列的表征 | 第74-75页 |
| ·Co-Pi沉积的机理研究 | 第75-76页 |
| ·Co-Pi/BiVO_4纳米墙阵列的表征 | 第76-77页 |
| ·光电催化性能研究 | 第77-78页 |
| ·体相复合与表面复合被抑制程度的定量分析 | 第78-83页 |
| ·本章小结 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-87页 |
| 第4章 合理设计的新型纳米墙阵列及其光电催化性能研究 | 第87-103页 |
| ·合成背景和合成思路的提出 | 第87-88页 |
| ·实验部分 | 第88-90页 |
| ·制备方法 | 第88-89页 |
| ·表征手段 | 第89页 |
| ·光电催化性能测试 | 第89-90页 |
| ·分析与讨论 | 第90-94页 |
| ·具有交替介电常数结构单元的纳米墙阵列的表征 | 第90-92页 |
| ·具有不同交替介电常数转变周期的纳米墙阵列的表征 | 第92-93页 |
| ·平面薄膜的表征 | 第93-94页 |
| ·引入交替介电常数结构单元对光吸收的影响 | 第94-95页 |
| ·光电催化性能研究 | 第95-98页 |
| ·引入交替介电常数结构单元对电荷收集的影响 | 第98-100页 |
| ·本章小结 | 第100-101页 |
| 参考文献 | 第101-103页 |
| 第5章 三维有序的大孔-介孔阵列的合成及其光电催化性能的研究 | 第103-119页 |
| ·合成背景和合成思路的提出 | 第103-104页 |
| ·实验部分 | 第104-106页 |
| ·模板的制备 | 第104-105页 |
| ·前驱体的制备 | 第105页 |
| ·三维有序多孔阵列的制备 | 第105页 |
| ·表征手段 | 第105页 |
| ·光电催化性能测试 | 第105-106页 |
| ·掺杂的原理分析 | 第106-107页 |
| ·阵列结构的构筑过程 | 第107-109页 |
| ·产物表征 | 第109-111页 |
| ·光电催化性能研究 | 第111-114页 |
| ·本章小结 | 第114-116页 |
| 参考文献 | 第116-119页 |
| 攻读博士期间发表的学术论文 | 第119-121页 |
| 致谢 | 第121-122页 |
