| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| ·引言 | 第10-12页 |
| ·国内外研究现状分析 | 第12-14页 |
| ·主要研究方法和实现方案 | 第14页 |
| ·本文主要内容和各章节内容 | 第14-16页 |
| 第二章 10G 高速链路分析方法研究 | 第16-21页 |
| ·引言 | 第16页 |
| ·10G 高速互连分析方法 | 第16-18页 |
| ·10G 高速链路组成结构 | 第18-20页 |
| ·连接器的选型 | 第19-20页 |
| ·板材选型 | 第20页 |
| ·走线 | 第20页 |
| ·过孔 | 第20页 |
| ·AC 耦合电容 | 第20页 |
| ·小结 | 第20-21页 |
| 第三章 信号完整性理论 | 第21-37页 |
| ·引言 | 第21页 |
| ·传输线理论 | 第21-26页 |
| ·传输线基本模型 | 第21-22页 |
| ·趋肤效应 | 第22页 |
| ·介质损耗 | 第22-23页 |
| ·常用的传输线 | 第23-24页 |
| ·反射与串扰 | 第24-26页 |
| ·高速链路 S 参数分析 | 第26-33页 |
| ·S 参数基本理论 | 第26-27页 |
| ·差分电路的混合模 S 参数理论 | 第27-33页 |
| ·SerDes 与信号完整性的关系 | 第33-35页 |
| ·小结 | 第35-37页 |
| 第四章 10G BASE-KR 标准与全链路中各关键因子的识别 | 第37-60页 |
| ·引言 | 第37-38页 |
| ·10G BASE-KR 标准定义 | 第38-44页 |
| ·通道参数 | 第38-39页 |
| ·衰减匹配 | 第39-40页 |
| ·插损 | 第40页 |
| ·插损一致性 | 第40-42页 |
| ·回损 | 第42页 |
| ·串扰 | 第42-43页 |
| ·信噪比 | 第43-44页 |
| ·全链路关键因子的识别—插损与回损 | 第44-51页 |
| ·钻孔大小对过孔性能影响 | 第45-46页 |
| ·反焊盘形式对过孔性能影响 | 第46-48页 |
| ·反焊盘大小对过孔性能影响 | 第48-50页 |
| ·背钻深度对过孔性能影响 | 第50-51页 |
| ·全链路关键因子的识别—串扰 | 第51-59页 |
| ·连接器串扰以及性能介绍 | 第53-57页 |
| ·连接器过孔串扰 | 第57-59页 |
| ·走线之间的串扰 | 第59页 |
| ·小结 | 第59-60页 |
| 第五章 10G 通信系统全链路设计与仿真 | 第60-76页 |
| ·引言 | 第60页 |
| ·10G 通信系统硬件结构 | 第60-65页 |
| ·10GE XFP 光口 | 第62-63页 |
| ·LSW 和 SWITCH FABRIC 芯片 | 第63页 |
| ·背板 | 第63页 |
| ·SerDes 之间的高速链路 | 第63-65页 |
| ·10G 通信系统全链路仿真 | 第65-73页 |
| ·板材和连接器选型与建模 | 第65页 |
| ·BGA 建模与优化 | 第65-67页 |
| ·电容建模与优化 | 第67-68页 |
| ·连接器过孔建模与优化 | 第68-69页 |
| ·全链路搭建 | 第69页 |
| ·10G BASR-KR 标准仿真 | 第69-73页 |
| ·基于 KR 模板全链路优化仿真对比 | 第73-75页 |
| ·温度对全链路性能的影响 | 第73-74页 |
| ·过孔背钻和反焊盘优化对全链路性能的影响 | 第74-75页 |
| ·小结 | 第75-76页 |
| 第六章 总结与展望 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-80页 |