| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-13页 |
| 第一章 引言 | 第13-38页 |
| ·低介电材料的研究背景 | 第13-16页 |
| ·低介电常数材料的特点及分类 | 第16-28页 |
| ·电介质材料的简介 | 第16-17页 |
| ·降低介电常数的途径 | 第17-18页 |
| ·低介电常数的分类 | 第18-20页 |
| ·超低多孔介电材料 | 第20-23页 |
| ·几种重要多孔低k 介质材料的结构与性质 | 第23-28页 |
| ·多孔介质的沉积技术 | 第28-30页 |
| ·旋转涂敷甩胶技术 | 第28-29页 |
| ·化学气相沉积技术 | 第29-30页 |
| ·低k 材料在超大规模集成电路中的应用要求 | 第30-31页 |
| ·硅基多孔低介电薄膜材料目前存在的问题及需要解决的问题 | 第31-32页 |
| ·本文研究的意义及内容 | 第32-34页 |
| ·研究工作的意义 | 第32页 |
| ·研究的内容 | 第32-34页 |
| 参考文献 | 第34-38页 |
| 第二章 SOD 法制备薄膜的工艺及表征 | 第38-67页 |
| ·溶胶-凝胶法制备低k 薄膜的方法 | 第38-39页 |
| ·甲基三氯硅烷水解/聚合制备法 | 第38页 |
| ·甲基三烷氧基硅烷制备法 | 第38-39页 |
| ·甲基三乙酸基硅烷制备法 | 第39页 |
| ·其他制备方法 | 第39页 |
| ·硅基多孔低k 薄膜的制备及等离子体处理 | 第39-41页 |
| ·涂胶工艺的基本原理和装置 | 第41-47页 |
| ·溶胶、凝胶简介 | 第41-44页 |
| ·旋转涂胶法的原理 | 第44-45页 |
| ·浸入涂胶技术的原理 | 第45-46页 |
| ·老化工艺 | 第46页 |
| ·干燥工艺 | 第46-47页 |
| ·多孔低k 薄膜的表征手段 | 第47-61页 |
| ·组成与结构 | 第47-48页 |
| ·电学性能的表征 | 第48-53页 |
| ·孔结构的表征 | 第53-61页 |
| ·微结构 | 第61页 |
| ·薄膜的热性质及吸水性分析 | 第61页 |
| 本章小结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 第三章 多孔 MSQ 薄膜的制备、微结构与性能测试 | 第67-87页 |
| ·引言 | 第67-68页 |
| ·实验方案与实验参数 | 第68-75页 |
| ·采用溶胶-凝胶法制备低介电材料 MSQ 样品 | 第68-71页 |
| ·多孔低介电 MSQ 薄膜的制备工艺流程 | 第71-75页 |
| ·多孔低介电 MSQ 薄膜的傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析 | 第75-79页 |
| ·多孔 MSQ 薄膜的电学性能测试 | 第79-84页 |
| ·介电常数的测量 | 第79-82页 |
| ·漏电流密度的测量 | 第82-84页 |
| 本章小结 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-87页 |
| 第四章 多孔 HSQ 薄膜的退火处理工艺的研究 | 第87-107页 |
| ·引言 | 第87-88页 |
| ·制备多孔低介电 HSQ 薄膜的实验方案及实验参数 | 第88-89页 |
| ·实验样品的制备 | 第88页 |
| ·实验参数与实验流程 | 第88-89页 |
| ·D4 为致孔剂制备多孔低介电 HSQ 薄膜的结构分析（FTIR） | 第89-95页 |
| ·薄膜的 FTIR 键结构分析 | 第91-94页 |
| ·退火条件对 HSQ 薄膜结构的影响 | 第94页 |
| ·Si-OH 基的产生与影响 | 第94-95页 |
| ·D4 为致孔剂制备多孔 HSQ 薄膜的电学性能测试 | 第95-99页 |
| ·薄膜的介电性能 | 第95-96页 |
| ·漏电流密度的测量分析 | 第96-99页 |
| ·加入 D5 后退火温度对 HSQ 薄膜结构的影响 | 第99-104页 |
| ·实验方案 | 第99页 |
| ·不同退火条件下的 FTIR 的结构变化 | 第99-101页 |
| ·不同退火条件下的介电常数的变化 | 第101-102页 |
| ·漏电流密度随着退火温度的变化 | 第102-104页 |
| 本章小结 | 第104-105页 |
| 参考文献 | 第105-107页 |
| 第五章 氧气和甲烷等离子体对 HSQ 薄膜的表面处理 | 第107-128页 |
| ·引言 | 第107-109页 |
| ·等离子体处理的实验流程 | 第109-111页 |
| ·电子回旋共振的原理 | 第109-110页 |
| ·实验参数及实验流程 | 第110-111页 |
| ·氧等离子体处理后对结构和电学性能的影响 | 第111-116页 |
| ·未退火时的薄膜结构分析 | 第111-113页 |
| ·退火后对薄膜结构的影响 | 第113-114页 |
| ·薄膜的电学性能 | 第114-116页 |
| ·甲烷等离子体处理对 HSQ 薄膜结构和电学性能的影响 | 第116-124页 |
| ·未退火薄膜的结构分析 | 第116-117页 |
| ·退火后薄膜结构的变化 | 第117-120页 |
| ·退火前后 Si-H 键含量的比较 | 第120-121页 |
| ·甲烷等离子体处理对 HSQ 薄膜介电性能的影响 | 第121-123页 |
| ·慢正电子谱测试孔隙率的结果 | 第123-124页 |
| 本章小结 | 第124-126页 |
| 参考文献 | 第126-128页 |
| 第六章 结论 | 第128-136页 |
| ·结论 | 第128-133页 |
| ·溶胶-凝胶法制备多孔薄膜存在的问题及改进方法 | 第133-135页 |
| 参考文献 | 第135-136页 |
| 创新性说明 | 第136-137页 |
| 攻读博士学位期间发表论文 | 第137-138页 |
| 致谢 | 第138-139页 |
| 详细摘要 | 第139-146页 |
