硅基场发射三极管阵列的制备与优化
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·场发射阴极的发展状况 | 第10-14页 |
| ·场发射发展历史 | 第10-11页 |
| ·场发射的国外研究情况 | 第11-12页 |
| ·场发射的国内研究情况 | 第12-14页 |
| ·场发射阴极的分类与应用 | 第14-17页 |
| ·场发射阴极的分类 | 第14-15页 |
| ·场发射阴极的应用 | 第15-17页 |
| ·本论文的主要工作内容及意义 | 第17-19页 |
| 第二章 场致发射的基本理论 | 第19-26页 |
| ·金属材料的表面势垒 | 第19-20页 |
| ·金属场致发射理论 | 第20-22页 |
| ·理想条件下的F-N公式 | 第20-22页 |
| ·F-N公式的适用性 | 第22页 |
| ·半导体场致发射理论 | 第22-24页 |
| ·尖锥发射体参数与场发射的关系 | 第24-26页 |
| 第三章 场发射三极管阵列的基本制备工艺 | 第26-33页 |
| ·Spindt阴极制备工艺 | 第26-28页 |
| ·硅尖锥阴极制备工艺 | 第28-31页 |
| ·自对准氧化削尖工艺 | 第28-30页 |
| ·回蚀工艺 | 第30-31页 |
| ·微尖场发射阵列工艺 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 硅基场发射三极管阴极阵列的制备 | 第33-56页 |
| ·材料的选择 | 第33-35页 |
| ·基底材料的选择 | 第33页 |
| ·场发射材料的选择 | 第33-35页 |
| ·半导体空腔的制备工艺研究 | 第35-45页 |
| ·预氧层及氮化硅层的制备 | 第35-36页 |
| ·光刻技术 | 第36-38页 |
| ·氧化模型与参数控制 | 第38-41页 |
| ·空腔刻蚀 | 第41-44页 |
| ·结果与分析 | 第44-45页 |
| ·硅基场发射三极管阵列栅极的制备 | 第45-46页 |
| ·牺牲层的设计与制备 | 第46-49页 |
| ·硅基场发射三极管阵列尖锥阵列的制备 | 第49-55页 |
| ·沉积尖锥阵列 | 第49-52页 |
| ·去除牺牲层 | 第52-53页 |
| ·沉积薄膜的尖锥阵列制备 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 阴极阵列的优化与测试 | 第56-67页 |
| ·退火工艺 | 第56-58页 |
| ·三极管阵列封装工艺及测试设备 | 第58-60页 |
| ·封装工艺 | 第58页 |
| ·测试电路 | 第58-60页 |
| ·场发射三极管发射性能测试及分析 | 第60-63页 |
| ·场发射三极管稳定性测试及分析 | 第63-65页 |
| ·本章小节 | 第65-67页 |
| 第六章 结束语 | 第67-69页 |
| ·本论文的主要工作与结论 | 第67页 |
| ·工作展望 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 个人简历 | 第74页 |
| 硕士研究生期间发表的论文 | 第74页 |
