| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 第一章 二氧化锗纳米材料的研究进展 | 第11-18页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·GeO_2纳米结构材料的研究进展 | 第11-16页 |
| ·GeO_2纳米结构的制备 | 第11-15页 |
| ·GeO_2纳米结构的性质研究 | 第15-16页 |
| ·本课题的提出及其意义 | 第16页 |
| ·本论文的研究路线的设计及其研究内容 | 第16-18页 |
| ·本论文的研究路线 | 第16-17页 |
| ·本论文的研究内容 | 第17-18页 |
| 第二章 二氧化锗纳米线的制备与拉曼光谱 | 第18-25页 |
| ·引言 | 第18页 |
| ·实验部分 | 第18-19页 |
| ·GeO_2纳米线的制备 | 第18页 |
| ·产物的表征 | 第18-19页 |
| ·结果与讨论 | 第19-24页 |
| ·反应温度对产物的影响 | 第19-21页 |
| ·拉曼光谱 | 第21-22页 |
| ·反应机理 | 第22-24页 |
| ·结论 | 第24-25页 |
| 第三章 单质锗与氧气反应原位生长的GeO_2纳米线及其发光性质 | 第25-36页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·实验部分 | 第25-26页 |
| ·GeO_2纳米线的制备 | 第25-26页 |
| ·产物的表征 | 第26页 |
| ·结果与讨论 | 第26-35页 |
| ·反应温度和时间对产物的影响 | 第26-27页 |
| ·XRD分析 | 第27-28页 |
| ·TEM分析 | 第28-29页 |
| ·反应机理 | 第29-32页 |
| ·光致发光 | 第32-35页 |
| ·结论 | 第35-36页 |
| 第四章 单质锗与水蒸气反应原位生长的GeO_2纳米线及其紫外发光 | 第36-48页 |
| ·引言 | 第36页 |
| ·实验部分 | 第36-37页 |
| ·GeO_2纳米线的制备 | 第36页 |
| ·产物的表征 | 第36-37页 |
| ·结果与讨论 | 第37-47页 |
| ·反应温度和时间以及喷金时间对产物形貌的影响 | 第37-40页 |
| ·Raman、XRD分析 | 第40-42页 |
| ·TEM分析 | 第42-43页 |
| ·反应机理 | 第43-44页 |
| ·光致发光 | 第44-47页 |
| ·结论 | 第47-48页 |
| 第五章 GeO_2纳米锥的制备与控制 | 第48-56页 |
| ·引言 | 第48页 |
| ·实验部分 | 第48-49页 |
| ·GeO_2纳米锥的制备 | 第48-49页 |
| ·结构表征 | 第49页 |
| ·结果与讨论 | 第49-55页 |
| ·反应温度对产物的影响 | 第49-51页 |
| ·锗源与硅衬底之间距离对产物的影响 | 第51-52页 |
| ·拉曼光谱分析 | 第52-53页 |
| ·TEM分析 | 第53-54页 |
| ·反应机理 | 第54-55页 |
| ·结论 | 第55-56页 |
| 第六章 二氧化锗纳米线的水热制备与表征 | 第56-64页 |
| ·引言 | 第56页 |
| ·实验部分 | 第56-57页 |
| ·GeO_2纳米线的制备 | 第56-57页 |
| ·产物的表征 | 第57页 |
| ·结果与讨论 | 第57-63页 |
| ·42O℃制备样品的表征 | 第57-60页 |
| ·450℃制备样品的表征 | 第60-62页 |
| ·生长机理 | 第62-63页 |
| ·结论 | 第63-64页 |
| 总结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 攻读硕士期间的研究成果 | 第70页 |