| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 1 绪论 | 第10-17页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·阻抗谱简介 | 第10-12页 |
| ·材料的介电弛豫性质 | 第12-13页 |
| ·交流阻抗谱技术的应用 | 第13-14页 |
| ·交流阻抗谱在材料中的应用 | 第14页 |
| ·交流阻抗在器件上的应用 | 第14页 |
| ·钙钛矿氧化物的研究现状 | 第14-15页 |
| ·本论文研究的内容 | 第15-17页 |
| 2 Labview 技术和块材的制备 | 第17-20页 |
| ·引言 | 第17页 |
| ·Labview 简介 | 第17-18页 |
| ·钙钛矿复合氧化物的制备方法 | 第18-20页 |
| 3 钙钛矿氧化物材料复阻抗谱的分析 | 第20-29页 |
| ·引言 | 第20-22页 |
| ·阻抗谱的计算原理 | 第22-23页 |
| ·结果和讨论 | 第23-28页 |
| ·单晶钙钛矿氧化物材料 | 第23-24页 |
| ·多晶钙钛矿氧化物材料 | 第24-26页 |
| ·根据斜率的个数来判断阻抗谱中回路的个数 | 第26-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 4 HoMnO_3 样品的制备及其阻抗谱的研究 | 第29-43页 |
| ·引言 | 第29-31页 |
| ·HoMnO_3 块材的制备方法 | 第31页 |
| ·理论分析 | 第31-32页 |
| ·对实验结果的讨论和模拟 | 第32-41页 |
| ·HoMnO_3 块材的XRD 表征 | 第32-34页 |
| ·实验结果的讨论 | 第34-35页 |
| ·HoMnO_3 阻抗谱的模拟 | 第35-41页 |
| ·用斜率的个数来判断模拟电路中需要RC 回路的个数 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 5 变温条件下HoMnO_3 的介电性质 | 第43-46页 |
| 6 总结和展望 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-51页 |
| 谢词 | 第51-52页 |
| 附录 | 第52-53页 |