| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-17页 |
| ·集成电路光刻技术概述 | 第8-11页 |
| ·光刻工艺的监测系统和面临的挑战 | 第11-15页 |
| ·本论文的研究目的及意义 | 第15-17页 |
| 第二章 新型的监测光刻机焦距的方法 | 第17-37页 |
| ·相移光掩膜技术简介 | 第17-19页 |
| ·相移光掩膜技术监测光刻机焦距的基本原理 | 第19-22页 |
| ·监测焦距的相移光掩膜的制备和版图 | 第22-23页 |
| ·实验方案及条件 | 第23-24页 |
| ·最佳曝光能量的优化 | 第24-25页 |
| ·套准误差与光刻机焦距的关系的确定 | 第25-31页 |
| ·相移光掩膜监测光刻机焦距的验证应用 | 第31-35页 |
| ·本章小结 | 第35-37页 |
| 第三章 相移光掩膜监测法在光刻工艺中的扩展应用 | 第37-48页 |
| ·曝光托盘的监测 | 第37-43页 |
| ·光刻机台镜头的监测 | 第43-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 总结及展望 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 发表论文情况 | 第53页 |