| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-15页 |
| ·全光功能材料的研究与进展 | 第8-13页 |
| ·课题来源及研究内容 | 第13-15页 |
| 2 半导体量子阱中的激子性质 | 第15-22页 |
| ·激子的基本性质 | 第15-16页 |
| ·两种典型的激子模型 | 第16-19页 |
| ·量子阱中激子的吸收 | 第19-22页 |
| 3 INGAASP 多量子阱材料的参数计算 | 第22-38页 |
| ·应变量子阱 | 第22-26页 |
| ·电子及重空穴的基态能量 | 第26-33页 |
| ·微带影响 | 第33-35页 |
| ·量子阱中组分和阱宽、垒宽的计算 | 第35-38页 |
| 4 全光开关的性能要求 | 第38-45页 |
| ·电子自旋弛豫 | 第38-41页 |
| ·激子的吸收系数 | 第41-43页 |
| ·基于全光开关的多量子阱选择 | 第43-45页 |
| 5 外延片的制备和检测 | 第45-57页 |
| ·金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD） | 第45-47页 |
| ·外延片的质量检测 | 第47-57页 |
| 结论 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 附录 1 攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第63页 |