| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-10页 |
| ·背景和意义 | 第8-9页 |
| ·研究内容及主要工作 | 第9-10页 |
| 第二章 基准电压源概述 | 第10-26页 |
| ·主要技术指标 | 第10-11页 |
| ·精度温漂时漂 | 第10页 |
| ·噪声 | 第10-11页 |
| ·负载调整率与电源电压抑制比 | 第11页 |
| ·基准电压源的分类及其特点 | 第11-13页 |
| ·隐埋齐纳二极管基准电压源 | 第11-12页 |
| ·带隙基准电压源 | 第12页 |
| ·XFET 基准电压源 | 第12-13页 |
| ·带隙基准电压源的基础 | 第13-17页 |
| ·双极晶体管的温度特性 | 第13-15页 |
| ·MOS 管的温度特性 | 第15-17页 |
| ·高性能基准源的基本原理与结构 | 第17-22页 |
| ·带隙基准源的基本原理 | 第18-19页 |
| ·带隙基准源的典型电路结构 | 第19-21页 |
| ·低电压带隙基准源的电路结构 | 第21-22页 |
| ·其它高性能基准源的结构 | 第22-24页 |
| ·beta－multiplier 电压源 | 第22-23页 |
| ·迁移率和阈值电压互相补偿的基准源 | 第23页 |
| ·基于ΔV_(GS) 的CMOS 基准电压源 | 第23-24页 |
| ·非线性温度补偿方法 | 第24-25页 |
| ·利用电阻的温度特性进行高阶温度补偿 | 第24页 |
| ·V_(BE)环路法 | 第24-25页 |
| ·分段非线性补偿 | 第25页 |
| ·抵消V_(BE) 非线性项法 | 第25页 |
| ·小结 | 第25-26页 |
| 第三章 高精度基准电压源的设计 | 第26-45页 |
| ·总体结构的设计 | 第26-27页 |
| ·带隙核心的设计 | 第27-31页 |
| ·系统架构的设计 | 第27-28页 |
| ·电流求和模式的温度补偿原理 | 第28-29页 |
| ·电路中参数的确定和优化 | 第29-31页 |
| ·运放的设计 | 第31-35页 |
| ·运放对基准电压源的影响 | 第31-32页 |
| ·运放结构的确定及其设计 | 第32-35页 |
| ·启动电路的设计 | 第35页 |
| ·带隙的仿真及优化 | 第35-38页 |
| ·运放的频率特性 | 第35-36页 |
| ·电源电压抑制比特性 | 第36-37页 |
| ·温度特性 | 第37-38页 |
| ·在Pipelined ADC 中的缓冲器 | 第38-44页 |
| ·带隙直接输出遇到的问题 | 第38页 |
| ·参考输出在Pipelined ADC 中的等价模型 | 第38-40页 |
| ·负载对输出电压的影响 | 第40-41页 |
| ·缓冲器的设计 | 第41-44页 |
| ·小结 | 第44-45页 |
| 第四章 版图的设计及其后仿 | 第45-55页 |
| ·版图设计的基本考虑 | 第45-47页 |
| ·匹配性设计 | 第45-47页 |
| ·耦合的影响 | 第47页 |
| ·寄生参数 | 第47页 |
| ·各个模块的版图设计 | 第47-52页 |
| ·电流源版图的设计 | 第47-48页 |
| ·运算放大器版图的设计 | 第48-49页 |
| ·电阻的版图设计 | 第49-51页 |
| ·三极管版图的设计 | 第51-52页 |
| ·带隙总体版图 | 第52页 |
| ·后仿 | 第52-54页 |
| ·电源电压抑制比特性 | 第52-53页 |
| ·温度特性 | 第53-54页 |
| ·小结 | 第54-55页 |
| 第五章 测试及改进 | 第55-63页 |
| ·在ADC 中的基准电压源 | 第55-56页 |
| ·测试及其结果分析 | 第56-57页 |
| ·对这个带隙基准电压源的几点改进 | 第57-62页 |
| ·非线性温度补偿 | 第57-60页 |
| ·电源电压抑制比的提高 | 第60-61页 |
| ·适应更低电源电压的改进 | 第61-62页 |
| ·小结 | 第62-63页 |
| 总结与展望 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 论文发表 | 第67页 |