| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-11页 |
| 第一章 文献综述 | 第11-34页 |
| ·ZnO的结构和性能 | 第12-16页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第12-15页 |
| ·ZnO的光电性质 | 第15-16页 |
| ·ZnO的其他性质 | 第16页 |
| ·ZnO掺杂的研究进展 | 第16-23页 |
| ·ZnO的n型掺杂 | 第16-17页 |
| ·ZnO的p型掺杂 | 第17-23页 |
| ·ZnO的缺陷 | 第23-24页 |
| ·ZnO中的点缺陷 | 第23页 |
| ·ZnO中的线缺陷和堆垛层错 | 第23-24页 |
| ·ZnO的应用 | 第24-31页 |
| ·光电器件领域应用 | 第24-28页 |
| ·电子器件领域应用 | 第28-31页 |
| ·本文立题依据及研究思路 | 第31-34页 |
| ·立题依据 | 第31-32页 |
| ·研究思路 | 第32-34页 |
| 第二章 实验原理、过程及性能评价手段 | 第34-44页 |
| ·直流反应磁控溅射技术原理 | 第34-38页 |
| ·实验过程 | 第38-41页 |
| ·性能评价 | 第41-44页 |
| 第三章 C轴取向ZnO多晶薄膜生长机理 | 第44-55页 |
| ·不同衬底生长择优取向的ZnO薄膜 | 第44-47页 |
| ·择优取向的生长机理分析 | 第47-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第四章 Al-N共掺实现p-ZnO机理：杂质的选择 | 第55-78页 |
| ·共掺杂原理及第一原理计算 | 第55-58页 |
| ·影响共掺杂p-ZnO薄膜掺杂机理的几个因素 | 第58-59页 |
| ·施主杂质Al对共掺杂ZnO薄膜性能的影响 | 第59-62页 |
| ·施主杂质Al对薄膜结构、光学性能的影响 | 第59-61页 |
| ·施主杂质Al对薄膜电学性能的影响 | 第61-62页 |
| ·施主Al含量为O的情形(单一N元素掺杂) | 第62-65页 |
| ·单元素掺杂的不足之处 | 第65-69页 |
| ·Al-N共掺杂方法的特色 | 第69-75页 |
| ·从形成能角度分析 | 第70-71页 |
| ·从电负性角度分析 | 第71-72页 |
| ·从系统Madelung能量角度分析 | 第72-73页 |
| ·从N受主能级的态密度角度分析 | 第73-75页 |
| ·施主和受主的原子个数比例对于共掺杂p型的作用 | 第75-76页 |
| ·本章小结 | 第76-78页 |
| 第五章 Al-N共掺实现p-ZnO机理：生长温度的作用 | 第78-95页 |
| ·T_s对p-ZnO薄膜结晶质量的影响 | 第79-80页 |
| ·T_s对p-ZnO电学性能的影响 | 第80-83页 |
| ·T_s对p-ZnO光学性能的影响 | 第83-85页 |
| ·T_s对ZnO：(Al，N，H)薄膜导电类型的作用机理 | 第85-87页 |
| ·T_s对ZnO：(Al，N，H)中施主-受主分步的影响 | 第87-89页 |
| ·T_s对ZnO：(Al，N，H)中各元素化学键态的作用 | 第89-93页 |
| ·本章小结 | 第93-95页 |
| 第六章 Al-N共掺实现p-ZnO机理：生长气氛及其他因素的影响 | 第95-115页 |
| ·氧气分压对薄膜晶体质量、光学性能的影响 | 第96-97页 |
| ·电学性能随氧分压的变化机理 | 第97-100页 |
| ·N受主气体源的选择 | 第100-106页 |
| ·NH_3 | 第100-102页 |
| ·N的氧化物 | 第102-106页 |
| ·p-ZnO薄膜性能的改善：生长高温缓冲层 | 第106-110页 |
| ·p-ZnO薄膜性能的改善：退火处理 | 第110-113页 |
| ·p-ZnO薄膜导电类型的稳定性 | 第113-114页 |
| ·本章小结 | 第114-115页 |
| 第七章 ZnO基器件制备及其性能 | 第115-148页 |
| ·ZnO基光电器件 | 第115-128页 |
| ·ZnO／Si异质结及ZnO同质pn结 | 第115-118页 |
| ·p-ZnO／n-ZnCdO／n-ZnO异质结的设计思路及制备 | 第118-120页 |
| ·p-ZnO／n-ZnCdO／n-ZnO异质结的性能 | 第120-128页 |
| ·ZnO基电子器件 | 第128-146页 |
| ·设计思路 | 第128-129页 |
| ·Al／Si衬底生长的ZnO薄膜的性能 | 第129-135页 |
| ·光刻版的制备 | 第135-136页 |
| ·n-ZnO／Au肖特基二极管的制备 | 第136-140页 |
| ·n-ZnO／Au肖特基二极管的性能测试及分析 | 第140-143页 |
| ·ISBD相关参数计算 | 第143-146页 |
| ·本章小结 | 第146-148页 |
| 第八章 总结 | 第148-150页 |
| 参考文献 | 第150-163页 |
| 致谢 | 第163-164页 |
| 作者博士期间发表和撰写的论文及专利 | 第164-166页 |
