半导体发光二极管中负电容现象的理论研究
| 第一章 绪论 | 第1-12页 |
| 1．1 引言 | 第7-9页 |
| 1．2 半导体器件中负电容现象的现状研究 | 第9-10页 |
| 1．3 作者的主要工作简介 | 第10-12页 |
| 第二章 半导体发光器件的物理特性 | 第12-24页 |
| 2．1 载流子输运现象 | 第12-15页 |
| 2．1．1 平衡载流子 | 第12-14页 |
| 2．1．2 表面复合和陷阱效应 | 第14-15页 |
| 2．2 半导体发光二极管的特性 | 第15-24页 |
| 2．2．1 半导体发光二极管的发光特性 | 第16-20页 |
| 2．2．2 半导体发光二极管的电特性 | 第20-24页 |
| 第三章 发光二极管中负电容现象的理论解释 | 第24-37页 |
| 3．1 实验分析 | 第24-28页 |
| 3．2 连续性方程 | 第28-29页 |
| 3．2．1 电流方程 | 第28-29页 |
| 3．2．2 载流子的连续性方程 | 第29页 |
| 3．3 交流小信号下复合电流的特点 | 第29-32页 |
| 3．4 负电容解释的模型及求解 | 第32-37页 |
| 3．4．1 负电容解释的新模型 | 第32-33页 |
| 3．4．2 求解模型 | 第33-37页 |
| 第四章 求解模型的具体程序说明 | 第37-44页 |
| 4．1 关于MATLAB | 第37页 |
| 4．2 不同边界条件下的原程序及说明 | 第37-42页 |
| 4．2．1 表面复合速率S=∞ | 第38-39页 |
| 4．2．2 表面复合速率S=0 | 第39-41页 |
| 4．2．3 表面复合速率S=D_p/ L_p | 第41-42页 |
| 4．3 具体调用程序说明 | 第42-44页 |
| 第五章 不同边界条件的计算结果与讨论 | 第44-63页 |
| 5．1 表面复合速率S=D_p/ L_p | 第44-54页 |
| 5．1．1 u 值是常数 | 第45-50页 |
| 5．1．2 u 与电压和频率有关 | 第50-54页 |
| 5．2 表面复合速率S=∞ | 第54-60页 |
| 5．2．1 u 值是常数 | 第54-57页 |
| 5．2．2 u 与电压和频率有关 | 第57-60页 |
| 5．3 表面复合速率S=0 | 第60-61页 |
| 5．4 计算总结 | 第61-63页 |
| 第六章 结束语 | 第63-65页 |
| 6．1 本文总结 | 第63页 |
| 6．2 展望 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
