| 第一章 绪论 | 第1-15页 |
| §1-1 InP的材料特性 | 第9-10页 |
| §1-2 InP基PHEMT器件和电路的发展 | 第10-12页 |
| §1-3 InP基PHEMT外延材料的发展 | 第12-14页 |
| §1-4 课题的研究内容 | 第14-15页 |
| 第二章 MBE技术 | 第15-22页 |
| §2-1 MBE的简介 | 第15-17页 |
| §2-2 MBE生长动力学 | 第17-19页 |
| §2-3 表面再构和RHEED衍射 | 第19-22页 |
| 第三章 HEMT的工作原理和影响μ_n和n_s的因素 | 第22-26页 |
| §3-1 HEMT的工作原理及外延材料的基本结构 | 第22-23页 |
| §3-2 影响μ_n和n_s的因素 | 第23-26页 |
| 第四章 样品制备 | 第26-33页 |
| §4-1 确定生长速率 | 第26-27页 |
| §4-2 确定BEP与组分之间的对应关系 | 第27-30页 |
| §4-3 InP PHEMT外延材料的制备 | 第30-33页 |
| 第五章 测试与分析 | 第33-47页 |
| §5-1 Hall测试原理及Cap层对测试结果的影响 | 第33-37页 |
| §5-2 单侧掺杂和双侧掺杂InP PHEMT样品的参数对比 | 第37-38页 |
| §5-3 Spacer层厚度对μ_n和n_s的影响 | 第38-39页 |
| §5-4 沟道In组分对μ_n和n_s的影响 | 第39-41页 |
| §5-5 不同的双侧掺杂InP PHEMT沟道结构对μ_n和n_s的影响 | 第41-44页 |
| §5-6 高μ_n×n_s参数值样品 | 第44-47页 |
| 结论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 攻读学位期间取得的相关科研成果 | 第54页 |
