| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 前言 | 第8-20页 |
| ·荧光粉的发展历史 | 第8-9页 |
| ·目前显示技术的发展趋势和对荧光材料的要求 | 第9-10页 |
| ·发光薄膜及其制备方法 | 第10-15页 |
| ·喷雾热解法 | 第11页 |
| ·溅射法 | 第11页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第11-12页 |
| ·脉冲激光烧蚀法 | 第12页 |
| ·金属有机物化学汽相沉积法 | 第12页 |
| ·蒸镀法 | 第12-13页 |
| ·自组装法 | 第13页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第13-15页 |
| ·溶胶-凝胶工艺制备发光薄膜的工艺过程及表征方法 | 第15-16页 |
| ·工艺过程 | 第15-16页 |
| ·表征方法 | 第16页 |
| ·溶胶-凝胶法制备发光薄膜的现状 | 第16-18页 |
| ·无机发光薄膜 | 第16页 |
| ·有机／无机杂化发光薄膜 | 第16-17页 |
| ·无机发光组分分布在有机／无机杂化基质中的发光薄膜 | 第17-18页 |
| ·基质材料Y_2O_3的应用前景 | 第18页 |
| ·本课题研究的主要内容和意义 | 第18-20页 |
| ·本课题的主要内容 | 第18页 |
| ·本课题的意义 | 第18-20页 |
| 第二章 溶胶-凝胶法制备发光薄膜及其表征方法 | 第20-26页 |
| ·胶体制备方法简介 | 第20页 |
| ·试剂和仪器 | 第20-22页 |
| ·实验方法 | 第22-24页 |
| ·涂膜基片(单晶硅片)的预处理 | 第22页 |
| ·柠檬酸络合凝聚法制备旋涂溶胶的工艺流程 | 第22页 |
| ·六次甲基四胺作调控剂-溶胶凝胶法的工艺流程 | 第22-23页 |
| ·旋转涂膜 | 第23-24页 |
| ·凝胶膜的干燥和热处理 | 第24页 |
| ·表征方法 | 第24-26页 |
| ·XRD(X-ray diffraction，X射线衍射) | 第24页 |
| ·AFM(Atomic Force Microscope，原子力显微镜) | 第24页 |
| ·红外分析 | 第24页 |
| ·SEM(Scanning Electron Micrograph，扫描电镜) | 第24-25页 |
| ·薄膜激发光谱和发射光谱的测定 | 第25-26页 |
| 第三章 溶胶制备条件的优化 | 第26-39页 |
| ·(CH_2)_6N_4法制备水溶胶及最佳工艺条件的选择 | 第26-31页 |
| ·原理 | 第26页 |
| ·水溶胶检测波长的选择 | 第26-27页 |
| ·反应时间对溶胶制备的影响 | 第27-28页 |
| ·Y~(3+)的浓度对溶胶制备的影响 | 第28-29页 |
| ·水浴温度对溶胶制备的影响 | 第29-30页 |
| ·溶胶稳定性的测定 | 第30-31页 |
| ·柠檬酸作螯合剂的凝聚法制备溶胶工艺条件的选择 | 第31-35页 |
| ·柠檬酸溶胶凝胶的原理 | 第31-32页 |
| ·Y~(3+)浓度与溶胶粘度的关系及最佳旋涂液粘度的确定 | 第32-33页 |
| ·温度对溶胶制备的影响 | 第33-34页 |
| ·pH值对溶胶制备的影响 | 第34-35页 |
| ·凝胶的红外分析 | 第35-38页 |
| ·小结 | 第38-39页 |
| 第四章 (Y_(1-x)Eu_x)_2O_3薄膜的荧光特性 | 第39-48页 |
| ·(Y_(1-x)Eu_x)_2O_3薄膜的激发光谱和发射光谱 | 第39-42页 |
| ·(Y_(1-x)Eu_x)_2O_3薄膜的荧光强度与掺杂浓度的关系 | 第42-43页 |
| ·热处理温度对薄膜发光强度的影响 | 第43-44页 |
| ·烧结时间对薄膜发光强度的影响 | 第44-45页 |
| ·旋涂次数与发光强度的关系 | 第45-46页 |
| ·六次甲基四胺法和柠檬酸络合法制备溶胶涂层发光性能比较 | 第46-47页 |
| ·小结 | 第47-48页 |
| 第五章 (Y_(1-x)Eu_x)_2O_3薄膜的结构分析 | 第48-58页 |
| ·不同热处理温度下的薄膜的XRD分析 | 第48-51页 |
| ·XRD谱图的分析和计算 | 第51-54页 |
| ·AFM和SEM的结果 | 第54-57页 |
| ·薄膜的AFM照片 | 第54-56页 |
| ·薄膜的SEM照片 | 第56-57页 |
| ·小结 | 第57-58页 |
| 第六章 结论 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 硕士学习期间发表(撰写)的论文 | 第65页 |
