| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 文献综述 | 第8-32页 |
| ·晶体研究背景及意义 | 第8-10页 |
| ·Hg_(1-x)Mn_xTe晶体材料的应用及研究现状 | 第10页 |
| ·Hg_(1-x)Mn_xTe晶体的制备方法 | 第10-16页 |
| ·体单晶生长技术 | 第10-13页 |
| ·布里奇曼(Bridgman)法 | 第11页 |
| ·移动加热器法(THM) | 第11-12页 |
| ·改进的两相混合法(MTPM) | 第12-13页 |
| ·固态再结晶法(SSRM) | 第13页 |
| ·外延生长技术 | 第13-16页 |
| ·液相外延(LPE) | 第14-15页 |
| ·等温气相外延(ISOVPE) | 第15页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第15-16页 |
| ·Hg_(1-x)Mn_xTe晶体的性质 | 第16-28页 |
| ·晶体结构 | 第16-18页 |
| ·Hg_(1-x)Mn_xTe晶体的相图 | 第18-22页 |
| ·Hg-Te二元相图 | 第18页 |
| ·Mn-Te二元相图 | 第18-19页 |
| ·Hg-Mn-Te三元相图 | 第19-22页 |
| ·P-T相图 | 第22页 |
| ·Hg_(1-x)Mn_xTe晶体的物理性质 | 第22-28页 |
| ·能带结构 | 第22-25页 |
| ·电学性能 | 第25-26页 |
| ·光学性能 | 第26页 |
| ·磁学性能 | 第26-28页 |
| ·Hg_(1-x)Mn_xTe的热物性参数 | 第28页 |
| ·Hg_(1-x)Mn_xTe的晶体缺陷 | 第28-29页 |
| ·研究方法及内容 | 第29-30页 |
| 参考文献 | 第30-32页 |
| 第二章 Hg_(1-x)Mn_xTe晶体生长过程与生长条件 | 第32-43页 |
| ·引言 | 第32-33页 |
| ·晶体生长前的原料合成 | 第33-36页 |
| ·坩埚的清洗及碳膜镀膜 | 第33-34页 |
| ·配料及封装 | 第34-35页 |
| ·合料 | 第35-36页 |
| ·晶体生长 | 第36-39页 |
| ·晶体生长设备 | 第36-37页 |
| ·晶体生长的控制参数 | 第37-39页 |
| ·长晶炉中温场的设计 | 第38页 |
| ·控温过程的选择 | 第38-39页 |
| ·拉晶速度的选择 | 第39页 |
| ·晶体的加工与处理 | 第39-40页 |
| ·主要技术问题的解决措施 | 第40-42页 |
| ·爆管问题 | 第40-41页 |
| ·粘舟问题 | 第41页 |
| ·二次配料工艺 | 第41-42页 |
| ·小结 | 第42页 |
| 参考文献 | 第42-43页 |
| 第三章 Hg_(1-x)Mn_xTe晶体的宏观质量表征 | 第43-50页 |
| ·晶体外观质量评价 | 第43-44页 |
| ·晶粒分布 | 第44-45页 |
| ·成分分布 | 第45-47页 |
| ·密度法 | 第45-46页 |
| ·电子探针能谱分析 | 第46-47页 |
| ·位错蚀坑密度 | 第47页 |
| ·电学性能参数 | 第47-48页 |
| ·小结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-50页 |
| 第四章 Hg_(1-x)Mn_xTe晶体的腐蚀与微观质量表征 | 第50-63页 |
| ·择优腐蚀机理 | 第50-51页 |
| ·Hg_(1-x)Mn_xTe腐蚀液的选择及其腐蚀性 | 第51-52页 |
| ·Hg_(1-x)Mn_xTe晶体的腐蚀实验 | 第52-55页 |
| ·第一次腐蚀 | 第52-53页 |
| ·第二次腐蚀 | 第53页 |
| ·第三次腐蚀 | 第53-54页 |
| ·第四次腐蚀 | 第54页 |
| ·第五次腐蚀 | 第54页 |
| ·总结分析 | 第54-55页 |
| ·晶体的微观缺陷分析 | 第55-61页 |
| ·位错蚀坑形貌及位错组态 | 第55-57页 |
| ·位错的产生机理 | 第57-58页 |
| ·富Te夹杂及其沉淀 | 第58-61页 |
| ·关于组分过冷的讨论 | 第61页 |
| ·小结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-63页 |
| 第五章 Hg_(1-x)Mn_xTe晶体的退火实验 | 第63-69页 |
| ·退火过程机理的讨论 | 第63页 |
| ·退火工艺的设计 | 第63-65页 |
| ·退火实验设备 | 第63-64页 |
| ·退火温度的选择 | 第64页 |
| ·Hg压和退火时间的选择 | 第64-65页 |
| ·晶片的改性结果 | 第65-67页 |
| ·晶片中微观组织的变化 | 第65-66页 |
| ·退火对晶片电学性质的影响 | 第66-67页 |
| ·小结 | 第67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 主要结论 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
