分段连续系统的两种特征行为:V型阵发前奏锁相阶梯及半耗散性
中文摘要 | 第1-6页 |
英文摘要 | 第6-8页 |
前言 | 第8-10页 |
第一章 一些基本概念与原理 | 第10-19页 |
第二章 一个二维分段连续映象展示的V型阵发特征 | 第19-27页 |
·引言 | 第19页 |
·模型 | 第19-21页 |
·V型阵发的前奏锁相阶梯 | 第21-25页 |
·V型阵发前奏阶梯 | 第21-22页 |
·李雅普诺夫指数谱 | 第22-23页 |
·V型阵发前奏锁相阶梯的局部放大 | 第23-24页 |
·穿越数=1/n的周期轨道的解析讨论 | 第24-25页 |
·边界映象集与V型阵发后的混沌吸引子 | 第25-27页 |
第三章 一个半耗散系统 | 第27-67页 |
·本章涉及的几个系统模型 | 第27-38页 |
·不含耗散性元件的过电压保护张弛振荡电路模型 | 第27-29页 |
·包含耗散性元件的过电压保护张弛振荡电路模型 | 第29-36页 |
·一个作为对比的传统耗散映象 | 第36-38页 |
·半耗散系统中的传统耗散性、类耗散性和混合耗散性 | 第38-46页 |
·半耗散系统中的传统耗散性 | 第38-40页 |
·半耗散系统中的类耗散性 | 第40-41页 |
·半耗散系统中的混合耗散性 | 第41-46页 |
·两种系统中的禁区及其差异 | 第46-52页 |
·类耗散系统中的禁区 | 第46-48页 |
·半耗散系统中的禁区 | 第48-51页 |
·类耗散系统中的禁区与半耗散系统中的禁区比较 | 第51-52页 |
·半耗散激变 | 第52-67页 |
·本文讨论的半耗散系统中的完全锁相区及其结束 | 第52-56页 |
·穿越数及其锁相阶梯 | 第56-57页 |
·系统的混沌吸引子 | 第57-58页 |
·半耗散激变及其特征标度律 | 第58-66页 |
·半耗散激变的特征 | 第66-67页 |
参考文献 | 第67-71页 |
致谢 | 第71-72页 |
攻读硕士学位期间发表文章目录 | 第72页 |