1 绪论 | 第1-13页 |
1.1 铁电薄膜概述 | 第8-10页 |
1.2 锆钛酸铅薄膜概述 | 第10-11页 |
1.3 研究工作的目的意义及主要内容 | 第11-13页 |
1.3.1 目的与意义 | 第11-12页 |
1.3.2 主要工作内容 | 第12-13页 |
2 锆钛酸铅薄膜的制备 | 第13-26页 |
2.1 PZT的特性 | 第13-15页 |
2.2 主要制备方法 | 第15-17页 |
2.3 用溶胶凝胶法制备PZT薄膜的实验设备 | 第17-19页 |
2.4 薄膜制备 | 第19-26页 |
2.4.1 衬底和底电极的选择 | 第19-21页 |
2.4.2 衬底预处理 | 第21-22页 |
2.4.3 溶胶的制备 | 第22-23页 |
2.4.4 凝胶的制备 | 第23-24页 |
2.4.5 薄膜热处理 | 第24-26页 |
3 锆钛酸铅薄膜的结构测试和分析 | 第26-46页 |
3.1 XRD测试及分析 | 第26-39页 |
3.1.1 ITO衬底样品XRD测试结果及分析 | 第26-34页 |
3.1.2 硅衬底样品XRD测试结果及分析 | 第34-39页 |
3.2 TEM测试分析 | 第39-42页 |
3.2.1 TEM样品制备 | 第39-40页 |
3.2.2 测试结果与分析 | 第40-42页 |
3.3 表面显微形貌 | 第42-46页 |
4 锆钛酸铅薄膜的电学特性测试 | 第46-69页 |
4.1 电滞回线 | 第46-55页 |
4.1.1 电滞回线的特征和结构 | 第46-50页 |
4.1.2 电滞回线的测定 | 第50-55页 |
4.2 Sawyer-Tower电滞回线测试仪和LCR测试电桥 | 第55页 |
4.3 电容试样的制备和铁电参数的测量 | 第55-57页 |
4.3.1 电容试样的制备 | 第55-56页 |
4.3.2 铁电参数的测量 | 第56-57页 |
4.4 测试结果与分析 | 第57-69页 |
4.4.1 ITO为衬底的薄膜材料 | 第57-62页 |
4.4.2 硅为衬底的PZT薄膜 | 第62-69页 |
5 结论 | 第69-71页 |
5.1 结论 | 第69-70页 |
5.2 今后工作的设想 | 第70-71页 |
致谢 | 第71-72页 |
参考文献 | 第72-75页 |
在校期间发表的论文 | 第75页 |