立方相氮化硼薄膜制备及掺杂特性研究
| 中文摘要 | 第1-8页 |
| 英文摘要 | 第8-9页 |
| 引言 | 第9-10页 |
| 第一章 立方氮化硼的物性及其应用 | 第10-18页 |
| 第一节 引言 | 第10页 |
| 第二节 氮化硼的结构 | 第10页 |
| 第三节 六角氮化硼 | 第10-12页 |
| 1．3．1 六角氮化硼的结构 | 第10-11页 |
| 1．3．2 六角氮化硼的制备 | 第11-12页 |
| 1．3．3 六角氮化硼的物性 | 第12页 |
| 1．3．4 六角氮化硼的应用 | 第12页 |
| 第四节 立方氮化硼 | 第12-17页 |
| 1．4．1 立方氮化硼结构 | 第12-13页 |
| 1．4．2 立方氮化硼的性质和应用 | 第13-17页 |
| 参考文献 | 第17-18页 |
| 第二章 射频溅射沉积薄膜基本原理 | 第18-30页 |
| 第一节 溅射的特性 | 第18-20页 |
| 2．1．1 溅射率 | 第18-19页 |
| 2．1．2 溅射阈值 | 第19页 |
| 2．1．3 溅射原子的能量和速度 | 第19页 |
| 2．1．4 溅射原子的角分布 | 第19-20页 |
| 2．1．5 逸出材料的分析 | 第20页 |
| 2．1．6 表面改性 | 第20页 |
| 第二节 溅射机理 | 第20-24页 |
| 2．2．1 薄膜形成过程 | 第21页 |
| 2．2．2 影响溅射薄膜生长和特性的因素 | 第21-24页 |
| 第三节 沉积方法概述 | 第24-26页 |
| 2．3．1 偏压溅射 | 第24页 |
| 2．3．2 反应溅射 | 第24-25页 |
| 2．3．3 用磁场增强离化 | 第25-26页 |
| 第四节 射频溅射系统 | 第26-29页 |
| 2．4．1 射频溅射及其特点 | 第26-27页 |
| 2．4．2 设备 | 第27-29页 |
| 参考文献 | 第29-30页 |
| 第三章 射频溅射法制备立方氮化硼薄膜 | 第30-41页 |
| 第一节 实验过程 | 第30-33页 |
| 3．1．1 衬底清洗 | 第30页 |
| 3．1．2 样品制备 | 第30页 |
| 3．1．3 测试原理技术 | 第30-33页 |
| 第二节 射频功率对制备立方氮化硼薄膜的影响 | 第33-37页 |
| 3．2．1 引言 | 第33-34页 |
| 3．2．2 实验 | 第34页 |
| 3．2．3 实验结果和讨论 | 第34-36页 |
| 3．2．4 结论 | 第36-37页 |
| 第三节 工艺参数对制备氮化硼薄膜的影响 | 第37-39页 |
| 3．3．1 衬底表面清洁度的影响 | 第37页 |
| 3．3．2 衬底温度的影响 | 第37-38页 |
| 3．3．3 衬底负偏压的影响 | 第38页 |
| 3．3．4 工作气压的影响 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-41页 |
| 第四章 BN薄膜掺杂特性的研究 | 第41-61页 |
| 第一节 研究状况 | 第41页 |
| 第二节 异质结 | 第41-50页 |
| 4．2．1 异质结历史背景及特点 | 第41-42页 |
| 4．2．2 半导体异质结的界面 | 第42-43页 |
| 4．2．3 半导体异质结的能带 | 第43-46页 |
| 4．2．4 半导体异质结的伏安特性 | 第46-49页 |
| 4．2．5 C-V测量技术 | 第49-50页 |
| 第三节 n型掺杂氮化硼薄膜制备 | 第50-60页 |
| 4．3．1 掺杂有效性和掺杂方法的选择 | 第50-52页 |
| 4．3．2 实验准备 | 第52页 |
| 4．3．3 实验过程 | 第52-53页 |
| 4．3．4 结果与讨论 | 第53-60页 |
| 参考文献 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
