工艺参数对铝合金微弧氧化陶瓷层生长特性的影响
摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-8页 |
1 绪论 | 第8-17页 |
·微弧氧化技术简介 | 第8-9页 |
·研究历史及发展现状 | 第8-9页 |
·影响微弧氧化的因素 | 第9页 |
·微弧氧化技术的基本原理 | 第9-10页 |
·绝缘陶瓷层的击穿原理及影响因素 | 第10-14页 |
·绝缘陶瓷层的击穿原理 | 第10-13页 |
·影响绝缘陶瓷层击穿因素 | 第13-14页 |
·研究目的及意义 | 第14页 |
·研究内容及技术路线 | 第14-17页 |
2 实验设备与实验方法 | 第17-21页 |
·试样制备 | 第17-18页 |
·试样材料 | 第17页 |
·试样尺寸 | 第17页 |
·试样制备过程 | 第17-18页 |
·微弧氧化溶液 | 第18页 |
·实验设备 | 第18-19页 |
·微弧氧化设备 | 第18页 |
·超声波清洗器 | 第18页 |
·电热鼓风干燥箱 | 第18-19页 |
·测试方法 | 第19-21页 |
·质量测定 | 第19页 |
·陶瓷层厚度测量 | 第19页 |
·陶瓷层绝缘强度测试 | 第19-20页 |
·陶瓷层微观结构的观察 | 第20-21页 |
3 工艺参数对陶瓷层生长动力学的影响 | 第21-36页 |
·电流密度对陶瓷层生长动力学的影响 | 第21-24页 |
·陶瓷层厚度随电流密度的变化曲线 | 第21页 |
·陶瓷层生长动力学讨论 | 第21-24页 |
·频率对陶瓷层生长动力学的影响 | 第24-27页 |
·陶瓷层厚度随频率的变化曲线 | 第24-25页 |
·陶瓷层生长动力学讨论 | 第25-27页 |
·占空比对陶瓷层生长动力学的影响 | 第27-30页 |
·陶瓷层厚度随占空比的变化曲线 | 第27-28页 |
·陶瓷层生长动力学讨论 | 第28-30页 |
·微弧氧化时间对陶瓷层生长动力学的影响 | 第30-33页 |
·陶瓷层厚度随微弧氧化时间的变化曲线 | 第30-31页 |
·陶瓷层生长动力学讨论 | 第31-33页 |
·微弧氧化陶瓷层生长过程分析及讨论 | 第33-36页 |
4 工艺参数对陶瓷层致密性的影响 | 第36-49页 |
·电流密度对陶瓷层致密性的影响 | 第36-39页 |
·频率对陶瓷层致密性的影响 | 第39-43页 |
·占空比对陶瓷层致密性的影响 | 第43-47页 |
·微弧氧化时间对陶瓷层致密性的影响 | 第47-49页 |
5 微弧氧化陶瓷层致密性表征 | 第49-60页 |
·不同电流密度条件下制备的陶瓷层致密性表征 | 第49-52页 |
·电流密度对陶瓷层击穿电压和击穿场强的影响 | 第49-51页 |
·陶瓷层致密性的表征 | 第51-52页 |
·不同频率条件下制备的陶瓷层致密性表征 | 第52-54页 |
·频率对陶瓷层击穿电压和击穿场强的影响 | 第52-54页 |
·陶瓷层致密性的表征 | 第54页 |
·不同占空比条件下制备的陶瓷层致密性的表征 | 第54-57页 |
·占空比对陶瓷层击穿电压和击穿场强的影响 | 第54-56页 |
·陶瓷层致密性的表征 | 第56-57页 |
·不同微弧氧化时间条件下制备的陶瓷层致密性表征 | 第57-60页 |
·微弧氧化时间对陶瓷层击穿电压和击穿场强的影响 | 第57-58页 |
·不同微弧氧化时间陶瓷层致密性的表征 | 第58-60页 |
6 结论 | 第60-61页 |
致谢 | 第61-62页 |
参考文献 | 第62-67页 |
攻读硕士学位期间发表的论文 | 第67页 |