冶金法制备多晶硅的晶体生长及其杂质缺陷研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| ·引言 | 第10-12页 |
| ·多晶硅产业发展现状 | 第12-13页 |
| ·太阳能电池用多晶硅的生产新工艺简况 | 第13-15页 |
| ·硅太阳电池对原料多晶硅的质量要求 | 第15页 |
| ·多晶硅材料的特点 | 第15-19页 |
| ·多晶硅中杂质的特点 | 第16-19页 |
| ·多晶硅中的主要缺陷 | 第19页 |
| ·本论文的研究内容和意义 | 第19-20页 |
| ·本论文的创新点 | 第20-22页 |
| 第二章 实验方案及设备 | 第22-27页 |
| ·实验材料及实验方案 | 第22-23页 |
| ·实验材料 | 第22页 |
| ·实验方案 | 第22-23页 |
| ·实验设备 | 第23页 |
| ·EBSD的工作原理及应用 | 第23-27页 |
| ·电子背散射衍射花样(EBSP) | 第23-25页 |
| ·EBSD的应用 | 第25页 |
| ·EBSD系统简介 | 第25-26页 |
| ·EBSD实验过程 | 第26-27页 |
| 第三章 多晶硅的晶体生长 | 第27-55页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·多晶硅晶体生长工艺 | 第27-28页 |
| ·多晶硅晶体生长的理论基础 | 第28-35页 |
| ·定向凝固过程的传热 | 第29-32页 |
| ·定向凝固过程的传质 | 第32-35页 |
| ·晶体生长 | 第35-37页 |
| ·多晶硅晶体生长的XRD研究 | 第37-39页 |
| ·多晶硅晶体生长的EBSD研究 | 第39-51页 |
| ·样品准备及实验条件 | 第39-40页 |
| ·实验结果及讨论 | 第40-51页 |
| ·多晶硅晶体生长的影响因素 | 第51-52页 |
| ·温度梯度对多晶硅晶体生长的影响 | 第51-52页 |
| ·坩埚升降速率对多晶硅晶体生长的影响 | 第52页 |
| ·设备控制系统的偏差 | 第52页 |
| ·本章小结 | 第52-55页 |
| 第四章 多晶硅中的缺陷和杂质 | 第55-77页 |
| ·引言 | 第55页 |
| ·多晶硅中的缺陷 | 第55-61页 |
| ·多晶硅中晶界的研究 | 第55-60页 |
| ·多晶硅中位错的研究 | 第60-61页 |
| ·多晶硅中的杂质 | 第61-75页 |
| ·金属杂质 | 第62-73页 |
| ·坩埚引入的碳杂质 | 第73-75页 |
| ·本章小结 | 第75-77页 |
| 第五章 多晶硅氩气气氛退火的初步研究 | 第77-83页 |
| ·引言 | 第77页 |
| ·多晶硅退火工艺 | 第77-78页 |
| ·实验结果与分析 | 第78-82页 |
| ·XRD取向及相分析 | 第78-82页 |
| ·退火对样品表面的作用 | 第82页 |
| ·本章小结 | 第82-83页 |
| 第六章 结论与展望 | 第83-86页 |
| ·实验结论 | 第83-85页 |
| ·展望与建议 | 第85-86页 |
| 致谢 | 第86-87页 |
| 参考文献 | 第87-93页 |
| 附录 攻读硕士期间的学术成果 | 第93页 |
