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实空间转移晶体管的工艺制造与电路模拟

摘要第1-4页
ABSTRACT第4-8页
第一章 引言第8-21页
   ·课题研究背景及国内外发展第8-9页
   ·负阻器件相关知识简介第9-16页
     ·化合物半导体相关知识第9-10页
     ·半导体异质结相关知识第10-12页
     ·转移电子效应第12-16页
   ·三端压控负阻器件简介第16-19页
     ·三端电压控制型负阻器件一般性工作原理第16-17页
     ·三端电压控制型负阻器件的分类第17-19页
   ·本论文的研究工作第19-21页
第二章 RSTT 设计思想和工作原理第21-31页
   ·RSTT 的设计思想第21-28页
     ·RSTT 器件的发展过程第21-22页
     ·高电子迁移率晶体管(HEMT)第22-23页
     ·速度调制晶体管(VMT)第23-25页
     ·实空间转移器件第25-28页
   ·双沟道RSTT 器件的工作原理第28-31页
第三章 RSTT 器件的材料设计与工艺制造第31-46页
   ·RSTT 材料结构设计第31-33页
     ·RSTT 材料结构的参数考虑第31-32页
     ·RSTT 的材料结构第32-33页
   ·RSTT 工艺版图第33-35页
   ·RSTT 制备及工艺制作流程第35-46页
     ·RSTT 工艺制作设备介绍第35-37页
     ·RSTT 工艺制作流程及结果第37-41页
     ·RSTT 工艺制作相关步骤的问题讨论第41-46页
第四章 RSTT 电路模拟第46-59页
   ·电路模拟软件简介第46-47页
   ·RSTT 电路模拟思路及模拟结果第47-58页
     ·相关负阻电路模型参数的考虑第47-51页
     ·单管RSTT 电路模拟方案及仿真结果第51-54页
     ·与电阻串联RSTT 电路模拟方案及仿真结果第54-56页
     ·由RSTT 构成的Mobile 单元电路模拟及仿真结果第56-58页
   ·RSTT 电路模拟结论第58-59页
第五章 RSTT 电路应用研究第59-69页
   ·由RSTT 串联构成的MOBILE 电路电学特性第59-62页
   ·由MOBILE 构成柔性逻辑门第62-64页
   ·由RSTT 构成神经晶体管第64页
   ·由RSTT 构成的静态分频器第64-69页
参考文献第69-72页
附录第72-76页
致谢第76页

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