摘要 | 第1-4页 |
ABSTRACT | 第4-8页 |
第一章 引言 | 第8-21页 |
·课题研究背景及国内外发展 | 第8-9页 |
·负阻器件相关知识简介 | 第9-16页 |
·化合物半导体相关知识 | 第9-10页 |
·半导体异质结相关知识 | 第10-12页 |
·转移电子效应 | 第12-16页 |
·三端压控负阻器件简介 | 第16-19页 |
·三端电压控制型负阻器件一般性工作原理 | 第16-17页 |
·三端电压控制型负阻器件的分类 | 第17-19页 |
·本论文的研究工作 | 第19-21页 |
第二章 RSTT 设计思想和工作原理 | 第21-31页 |
·RSTT 的设计思想 | 第21-28页 |
·RSTT 器件的发展过程 | 第21-22页 |
·高电子迁移率晶体管(HEMT) | 第22-23页 |
·速度调制晶体管(VMT) | 第23-25页 |
·实空间转移器件 | 第25-28页 |
·双沟道RSTT 器件的工作原理 | 第28-31页 |
第三章 RSTT 器件的材料设计与工艺制造 | 第31-46页 |
·RSTT 材料结构设计 | 第31-33页 |
·RSTT 材料结构的参数考虑 | 第31-32页 |
·RSTT 的材料结构 | 第32-33页 |
·RSTT 工艺版图 | 第33-35页 |
·RSTT 制备及工艺制作流程 | 第35-46页 |
·RSTT 工艺制作设备介绍 | 第35-37页 |
·RSTT 工艺制作流程及结果 | 第37-41页 |
·RSTT 工艺制作相关步骤的问题讨论 | 第41-46页 |
第四章 RSTT 电路模拟 | 第46-59页 |
·电路模拟软件简介 | 第46-47页 |
·RSTT 电路模拟思路及模拟结果 | 第47-58页 |
·相关负阻电路模型参数的考虑 | 第47-51页 |
·单管RSTT 电路模拟方案及仿真结果 | 第51-54页 |
·与电阻串联RSTT 电路模拟方案及仿真结果 | 第54-56页 |
·由RSTT 构成的Mobile 单元电路模拟及仿真结果 | 第56-58页 |
·RSTT 电路模拟结论 | 第58-59页 |
第五章 RSTT 电路应用研究 | 第59-69页 |
·由RSTT 串联构成的MOBILE 电路电学特性 | 第59-62页 |
·由MOBILE 构成柔性逻辑门 | 第62-64页 |
·由RSTT 构成神经晶体管 | 第64页 |
·由RSTT 构成的静态分频器 | 第64-69页 |
参考文献 | 第69-72页 |
附录 | 第72-76页 |
致谢 | 第76页 |