射频等离子体刻蚀二氧化硅物理机理数值研究

摘要	第1-5页
Abstract	第5-9页
1 绪论	第9-18页
·等离子体刻蚀概述	第9-11页
·电感耦合等离子体刻蚀技术工作原理	第11-13页
·电容耦合等离子体刻蚀技术工作原理	第13-14页
·微波等离子体刻蚀技术工作原理	第14-15页
·新型等离子体刻蚀源	第15-17页
·本文研究内容和结构安排	第17-18页
2 物理模型和数值方法	第18-31页
·混合模型	第18-20页
·蒙特卡洛方法模拟部分	第20-24页
·刻蚀区的物理模型	第24-26页
·建立刻蚀模型的一些背景和假设	第24页
·刻蚀槽模型的建立	第24-25页
·拉普拉斯方程的数值解法	第25-26页
·刻蚀剖面的演化机理	第26-29页
·小结	第29-31页
3 无碰撞鞘层刻蚀剖面演化规律	第31-38页
·不同电压条件下刻蚀剖面演化规律	第31-34页
·不同中性离子比率条件下刻蚀剖面演化规律	第34-36页
·不同方差条件下刻蚀剖面演化规律	第36-37页
·小结	第37-38页
4 碰撞鞘层刻蚀剖面演化规律	第38-44页
·不同气压条件下,刻蚀剖面演化情况	第38-41页
·不同电压条件下,刻蚀剖面演化情况	第41-43页
·小结	第43-44页
5 结论与展望	第44-46页
·本文主要结论	第44-45页
·对未来工作的展望	第45-46页
参考文献	第46-50页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况	第50-51页
致谢	第51-52页