| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-40页 |
| ·引言 | 第13页 |
| ·集成电路的发展 | 第13-16页 |
| ·集成电路制造过程简介 | 第16-20页 |
| ·CMP的作用 | 第20-24页 |
| ·CMP在铜互联线中的作用 | 第20-21页 |
| ·CMP在集成电路上的作用 | 第21-23页 |
| ·CMP在其它方面的作用 | 第23-24页 |
| ·CMP技术原理及其特点 | 第24-36页 |
| ·CMP基本原理 | 第24-30页 |
| ·化学机理 | 第30-34页 |
| ·机械机理 | 第34-35页 |
| ·CMP技术特点 | 第35-36页 |
| ·CMP技术研究现状和发展趋势 | 第36-37页 |
| ·本研究的目的与意义、主要内容与创新之处 | 第37-40页 |
| ·本研究的目的与意义 | 第37-38页 |
| ·本研究的主要内容 | 第38-39页 |
| ·本研究的创新之处 | 第39-40页 |
| 第二章 含甘氨酸的反应型抛光垫的研究 | 第40-66页 |
| ·前言 | 第40-41页 |
| ·实验部分 | 第41-44页 |
| ·主要原材料 | 第41页 |
| ·甘氨酸聚氨酯反应型抛光垫的制备 | 第41-42页 |
| ·测试与表征 | 第42-44页 |
| ·结果与讨论 | 第44-64页 |
| ·抛光垫中甘氨酸的释放机理 | 第44-45页 |
| ·扫描电镜（SEM） | 第45-46页 |
| ·透射电镜（TEM） | 第46-47页 |
| ·ATR-FTIR 对甘氨酸抛光垫的表征 | 第47-48页 |
| ·热重分析（TGA） | 第48-49页 |
| ·差示扫描量热分析（DSC） | 第49-50页 |
| ·传统抛光液中甘氨酸浓度对抛光效果的影响 | 第50-51页 |
| ·抛光垫中甘氨酸含量对抛光效果的影响 | 第51-52页 |
| ·表面质量分析 | 第52-53页 |
| ·抛光垫中甘氨酸含量对机械性能和不均匀率的影响 | 第53-54页 |
| ·二氧化硅磨料的表征 | 第54-58页 |
| ·磨料对抛光效果的影响 | 第58-60页 |
| ·抛光液温度对抛光效果的影响 | 第60-61页 |
| ·压力对抛光效果的影响 | 第61页 |
| ·流速对抛光效果的影响 | 第61-62页 |
| ·转速对抛光效果的影响 | 第62-63页 |
| ·图案晶片结果 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-66页 |
| 第三章 含BTA的反应型抛光垫的研究 | 第66-86页 |
| ·前言 | 第66页 |
| ·实验部分 | 第66-68页 |
| ·主要原材料 | 第66-67页 |
| ·BTA聚氨酯反应型抛光垫的制备 | 第67页 |
| ·测试与表征 | 第67-68页 |
| ·结果与讨论 | 第68-85页 |
| ·抛光垫中BTA的释放机理 | 第68-69页 |
| ·扫描电镜（SEM） | 第69-70页 |
| ·透射电镜（TEM） | 第70页 |
| ·ATR-FTIR 对BTA反应型抛光垫的表征 | 第70-71页 |
| ·热重分析（TGA） | 第71-72页 |
| ·差示扫描量热法分析（DSC） | 第72-73页 |
| ·传统抛光液中BTA浓度对抛光效果的影响 | 第73-75页 |
| ·抛光垫中BTA含量对抛光效果的影响 | 第75-77页 |
| ·BTA抛光垫对表面质量的影响 | 第77页 |
| ·修整方法对BTA抛光垫抛光效果的影响 | 第77-78页 |
| ·抛光垫中BTA含量对机械性能的影响 | 第78-79页 |
| ·磨粒对抛光效果的影响 | 第79-80页 |
| ·抛光液温度对抛光效果的影响 | 第80-81页 |
| ·压力对抛光效果的影响 | 第81-82页 |
| ·流速对抛光效果的影响 | 第82-83页 |
| ·转速对抛光效果的影响 | 第83-84页 |
| ·图案晶片结果 | 第84-85页 |
| ·本章小结 | 第85-86页 |
| 第四章 2,4-二氨基-6-甲基-三嗪在抛光液中的作用 | 第86-107页 |
| ·引言 | 第86页 |
| ·实验部分 | 第86-89页 |
| ·主要原材料 | 第86-87页 |
| ·测试与表征 | 第87-89页 |
| ·结果与讨论 | 第89-106页 |
| ·2,4-二氨基-6-甲基-三嗪的结构 | 第89页 |
| ·TA与铜离子的络合作用 | 第89-92页 |
| ·XPS表征加入TA前后铜表面的变化 | 第92-95页 |
| ·TA膜厚度测试 | 第95页 |
| ·铜在TA抛光液中的极化曲线 | 第95-97页 |
| ·pH 值对TA抛光液蚀刻率的影响 | 第97-98页 |
| ·pH 值对TA抛光液去除率和粗糙度的影响 | 第98-99页 |
| ·TA浓度对蚀刻率、去除率和粗糙度的影响 | 第99-100页 |
| ·双氧水浓度对蚀刻率、去除率和粗糙度的影响 | 第100-103页 |
| ·AFM结果 | 第103-104页 |
| ·图案晶片结果 | 第104-106页 |
| ·本章小结 | 第106-107页 |
| 第五章 TA/缓蚀剂抛光液体系的研究 | 第107-135页 |
| ·前言 | 第107页 |
| ·实验部分 | 第107-108页 |
| ·主要原材料 | 第107页 |
| ·测试与表征 | 第107-108页 |
| ·结果与讨论 | 第108-133页 |
| ·各种缓蚀剂的结构与性质 | 第108-109页 |
| ·各种缓蚀剂与铜离子的络合作用 | 第109-110页 |
| ·各种缓蚀剂与铜离子溶液的紫外可见图谱 | 第110-111页 |
| ·XPS表征加入缓蚀剂前后铜表面的变化 | 第111-114页 |
| ·缓蚀剂对TA膜厚度的影响 | 第114-117页 |
| ·铜在TA/缓蚀剂体系抛光液中的极化曲线 | 第117-121页 |
| ·pH 值对TA/缓蚀剂抛光液蚀刻率的影响 | 第121-122页 |
| ·pH 值对TA/缓蚀剂抛光液去除率的影响 | 第122-123页 |
| ·pH 值对TA/缓蚀剂抛光液粗糙度的影响 | 第123-124页 |
| ·缓蚀剂浓度对蚀刻率、去除率和粗糙度的影响 | 第124-126页 |
| ·双氧水浓度对蚀刻率、去除率和粗糙度的影响 | 第126-128页 |
| ·磨料对蚀刻率、去除率、不均匀率和表面质量的影响 | 第128-132页 |
| ·图案晶片结果 | 第132-133页 |
| ·本章小结 | 第133-135页 |
| 结论 | 第135-137页 |
| 参考文献 | 第137-148页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第148-149页 |
| 致谢 | 第149-150页 |
| 附录 | 第150页 |