摘要 | 第1-8页 |
ABSTRACT | 第8-15页 |
第一章 绪论 | 第15-49页 |
·炭黑的物理化学性质 | 第15-22页 |
·炭黑的微观结构 | 第15-16页 |
·炭黑的聚集体结构 | 第16-18页 |
·炭黑表面的化学性质 | 第18-22页 |
·炭黑的分类 | 第22-26页 |
·按生产方式分类 | 第22-24页 |
·按用途分类 | 第24-26页 |
·水溶液中胶体分散理论 | 第26-34页 |
·扩散双电层理论 | 第26-29页 |
·DLVO 理论 | 第29-31页 |
·扩充的DLVO 理论 | 第31-32页 |
·空间位阻效应 | 第32-34页 |
·炭黑的改性 | 第34-45页 |
·表面氧化改性 | 第34-37页 |
·分散剂处理 | 第37-39页 |
·接枝改性 | 第39-45页 |
·本课题的研究意义 | 第45-49页 |
·研究背景 | 第45-46页 |
·研究思路 | 第46-47页 |
·研究内容 | 第47-49页 |
第二章 试验原料、设备、测试及表征方法 | 第49-61页 |
·试验主要仪器与设备 | 第49页 |
·试验原料与试剂 | 第49-51页 |
·试样的测试与表征手段 | 第51-60页 |
·炭黑的pH 值测定 | 第51-52页 |
·炭黑挥发分的测定 | 第52页 |
·炭黑的表面含氧官能团测定 | 第52-53页 |
·炭黑的分散稳定性试验 | 第53-54页 |
·X 射线衍射(XRD)分析 | 第54页 |
·扫描电子显微镜(SEM)分析 | 第54-55页 |
·X 射线光电子能谱(XPS)分析 | 第55-56页 |
·红外光谱(FTIR)分析 | 第56页 |
·动态光散射激光粒度(DLS)分析 | 第56-57页 |
·Zeta 电位测试 | 第57-58页 |
·色度测量 | 第58-59页 |
·可见分光光度计 | 第59-60页 |
·本章小结 | 第60-61页 |
第三章 炭黑表面的氧化改性 | 第61-71页 |
·炭黑表面的氧化改性试验方案 | 第61页 |
·结果与讨论 | 第61-70页 |
·化学分析法测定炭黑表面含氧官能团的总酸量 | 第61-62页 |
·氧化改性炭黑的 pH 值及挥发分 | 第62-63页 |
·炭黑的X 射线光电子能谱(XPS)分析 | 第63-67页 |
·氧化改性炭黑的红外光谱(FTIR)分析 | 第67-68页 |
·氧化改性炭黑的Zeta 电位 | 第68页 |
·氧化改性炭黑在水性体系中的分散稳定性 | 第68-70页 |
·本章小结 | 第70-71页 |
第四章 炭黑的表面活性剂改性 | 第71-76页 |
·炭黑的表面活性剂改性试验 | 第71-72页 |
·结果与讨论 | 第72-75页 |
·改性炭黑在水中的分散稳定性 | 第72页 |
·改性炭黑的Zeta 电位 | 第72-73页 |
·扫描电镜(SEM)分析 | 第73-75页 |
·表面活性剂分散机理探讨 | 第75页 |
·本章小结 | 第75-76页 |
第五章 炭黑表面的二氧化硅包覆改性 | 第76-96页 |
·二氧化硅包覆改性炭黑粉体制备试验方案 | 第77-79页 |
·St?ber 法 | 第77-78页 |
·溶胶-凝胶-沉淀法 | 第78-79页 |
·结果与讨论 | 第79-94页 |
·X 射线衍射(XRD)分析 | 第79-81页 |
·扫描电镜(SEM)分析 | 第81-87页 |
·包覆炭黑的Zeta 电位 | 第87页 |
·色度测量 | 第87-89页 |
·二氧化硅包覆改性炭黑粉体机理探讨 | 第89-94页 |
·本章小结 | 第94-96页 |
第六章 硅酸锆包裹炭黑色料的制备初探 | 第96-111页 |
·ZrSiO_4 包覆炭黑粉体制备试验方案 | 第97-100页 |
·层层自组装技术(Layer-by-layer Self-Assembly Technology) | 第97-99页 |
·水热法(Hydrothermal method) | 第99-100页 |
·共沉淀法(Co-precipitation method) | 第100页 |
·高温处理温度制度 | 第100页 |
·结果与讨论 | 第100-110页 |
·X 射线衍射(XRD)分析 | 第100-103页 |
·色度测量 | 第103-104页 |
·扫描电镜(SEM)分析 | 第104-108页 |
·ZrSiO_4包覆炭黑粉体合成机理探讨 | 第108-110页 |
·本章小结 | 第110-111页 |
结论 | 第111-115页 |
1 研究成果 | 第111-113页 |
2 创新点 | 第113页 |
3 展望 | 第113-115页 |
参考文献 | 第115-123页 |
致谢 | 第123页 |