NPN型晶体管辐射损伤及退火效应研究
摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-8页 |
第1章 绪论 | 第8-18页 |
·课题背景和意义 | 第8页 |
·空间辐射环境 | 第8-9页 |
·双极型晶体管的结构特点 | 第9-12页 |
·辐射效应 | 第12-15页 |
·带电粒子辐射与物质的相互作用 | 第12-14页 |
·电离辐射效应 | 第14页 |
·位移损伤效应 | 第14-15页 |
·国内外研究概况 | 第15-16页 |
·空间搭载研究 | 第15-16页 |
·数值模拟研究 | 第16页 |
·地面试验研究 | 第16页 |
·研究目的及内容 | 第16-18页 |
第2章 试验器件及试验方法 | 第18-24页 |
·试验器件 | 第18-19页 |
·电学参数测试 | 第19页 |
·试验辐照源 | 第19-20页 |
·低能电子源辐照 | 第19-20页 |
·低能质子源辐照 | 第20页 |
·试验装置 | 第20-24页 |
·空间辐照环境地面模拟设备 | 第20-21页 |
·试验测试装置 | 第21-24页 |
第3章 NPN型晶体管辐照性能退化规律 | 第24-43页 |
·NPN型晶体管辐照损伤 | 第24-28页 |
·IC-VCE特征曲线的退化 | 第24页 |
·Gummel曲线的退化 | 第24-27页 |
·饱和电压的退化 | 第27-28页 |
·NPN型晶体管电流增益退化规律 | 第28-34页 |
·电流增益随集电极电流的变化关系 | 第29-30页 |
·电流增益随辐照注量的变化关系 | 第30-32页 |
·质子与电子同时辐照对电流增益的影响 | 第32-34页 |
·NPN型晶体管辐照损伤机理分析 | 第34-42页 |
·辐射吸收剂量计算 | 第34-36页 |
·晶体管电流增益退化 | 第36-37页 |
·双极型晶体管位移损伤机制 | 第37-39页 |
·双极型晶体管电离损伤机制 | 第39-41页 |
·同时辐照对晶体管电流增益影响机制 | 第41-42页 |
·本章小结 | 第42-43页 |
第4章 NPN型晶体管辐照退火效应 | 第43-59页 |
·等温退火规律 | 第43-48页 |
·电子辐照后等温退火规律 | 第43-45页 |
·质子辐照后等温退火规律 | 第45-48页 |
·等时退火规律 | 第48-53页 |
·电子辐照后等时退火规律 | 第48-50页 |
·质子辐照后等时退火规律 | 第50-53页 |
·偏置对退火效应的影响 | 第53-55页 |
·退火效应机理分析 | 第55-58页 |
·电离损伤 | 第55-56页 |
·位移损伤 | 第56-58页 |
·本章小结 | 第58-59页 |
结论 | 第59-60页 |
参考文献 | 第60-65页 |
致谢 | 第65页 |