亚微米硅基光波导的设计与模式特性研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-14页 |
| ·研究背景与目的 | 第7-8页 |
| ·国内外研究现状、发展趋势 | 第8-11页 |
| ·国内外研究现状 | 第8-11页 |
| ·发展趋势 | 第11页 |
| ·硅基光子器件的调制原理与方法 | 第11-13页 |
| ·本论文主要工作 | 第13-14页 |
| 第二章 SOI光波导的模式特性分析 | 第14-27页 |
| ·SOI光波导 | 第14-16页 |
| ·SOI光波导的数值分析方法 | 第16-20页 |
| ·有效折射率法 | 第17-19页 |
| ·束传播法 | 第19-20页 |
| ·SOI亚微米脊形光波导模式特性研究 | 第20-27页 |
| ·大尺寸脊型光波导的单模条件和偏振无关条件 | 第20-22页 |
| ·纳米线光波导的单模特性 | 第22-24页 |
| ·纳米线光波导的偏振无关条件 | 第24-27页 |
| 第三章 SOI光波导调制机理 | 第27-36页 |
| ·等离子色散效应 | 第27-28页 |
| ·光波导调制结构的电学模拟 | 第28-36页 |
| ·电学模拟软件ATLAS简介 | 第28页 |
| ·调制区PIN注入结构对光波导电学性能的影响 | 第28-29页 |
| ·电极距离对光波导电学性能的影响 | 第29-33页 |
| ·电压对光波导电学性能的影响 | 第33-36页 |
| 第四章 器件的加工与性能测试 | 第36-47页 |
| ·光波导的损耗研究 | 第36-38页 |
| ·波导的传输损耗 | 第36-37页 |
| ·波导的弯曲损耗 | 第37-38页 |
| ·波导与光纤的耦合 | 第38页 |
| ·器件制作的工艺流程 | 第38-39页 |
| ·工艺介绍 | 第39-40页 |
| ·ICP刻蚀 | 第39-40页 |
| ·减薄片子 | 第40页 |
| ·测试系统及测试过程 | 第40-47页 |
| ·测试系统及关键技术 | 第40-42页 |
| ·传输损耗测试方法 | 第42页 |
| ·直波导插损测试 | 第42-43页 |
| ·弯曲波导损耗测试 | 第43-47页 |
| 第五章 结论 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-50页 |
