| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| ·非晶半导体材料的发展简史 | 第7-8页 |
| ·非晶半导体的理论基础 | 第8-15页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族非晶态半导体材料的研究进展 | 第15-16页 |
| ·本论文的研究意义、目的及主要研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 磁控溅射法制备InSb薄膜及其表征方法 | 第17-25页 |
| ·溅射机理及薄膜的生长机理 | 第17-20页 |
| ·影响薄膜生长、结构和性质的主要工艺参数 | 第20-22页 |
| ·薄膜的表征方法 | 第22-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 a-InSb薄膜的制备以及结构组分分析 | 第25-32页 |
| ·磁控溅射a-InSb薄膜的制备工艺 | 第25-26页 |
| ·a-InSb薄膜的结构表征及生长窗口 | 第26-27页 |
| ·工作气压和衬底温度对a-InSb薄膜表面形貌的影响 | 第27-29页 |
| ·工作气压、衬底温度和溅射功率对In_xSb_(1-x)薄膜组分的影响 | 第29-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第四章 a-InSb薄膜光电特性的研究 | 第32-45页 |
| ·工作气压、溅射功率、和衬底温度对光学带隙的影响 | 第32-37页 |
| ·a-InSb薄膜的光学常数 | 第37-42页 |
| ·a-InSb薄膜的电学性质和光敏特性 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 a-InSb薄膜的掺氢研究 | 第45-48页 |
| ·磁控溅射a-InSb:H薄膜的制备工艺 | 第45页 |
| ·a-InSb:H薄膜的表征与分析 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 结论 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |