| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第1章 前言 | 第10-22页 |
| ·研究背景和意义 | 第10-11页 |
| ·热电效应及其原理 | 第11-14页 |
| ·Seebeck效应 | 第11-13页 |
| ·Peltier效应 | 第13-14页 |
| ·热电性能参数 | 第14-16页 |
| ·Seebeck系数 | 第14页 |
| ·电导率 | 第14-15页 |
| ·热导率 | 第15-16页 |
| ·发电用热电材料类型 | 第16-17页 |
| ·β-Zn_4Sb_3化合物的研究现状 | 第17-20页 |
| ·β-Zn_4Sb_3化合物的晶体结构 | 第17-19页 |
| ·β-Zn_4Sb_3化合物的热电输运特性 | 第19页 |
| ·β-Zn_4Sb_3热电材料面临的问题 | 第19-20页 |
| ·本论文选题目的和研究内容 | 第20-22页 |
| 第2章 晶体结构Rietveld精修方法概述 | 第22-32页 |
| ·Rietveld全谱拟合分析原理 | 第22-24页 |
| ·2θ位置的计算方法 | 第22-23页 |
| ·结构因子和强度分布的计算方法 | 第23页 |
| ·衍射谱的计算方法 | 第23页 |
| ·最小二乘法拟合 | 第23-24页 |
| ·Rietveld精修函数确定 | 第24-26页 |
| ·峰形函数 | 第24-25页 |
| ·峰宽函数 | 第25-26页 |
| ·本底函数 | 第26页 |
| ·择优取向校正 | 第26-28页 |
| ·Rietveld精修策略 | 第28-32页 |
| ·Rietveld精修的基本条件 | 第28-29页 |
| ·Rietveld精修的步骤 | 第29-31页 |
| ·Rietveld精修的评判因子 | 第31-32页 |
| 第3章 实验研究 | 第32-35页 |
| ·样品合成 | 第32页 |
| ·合成试样的物相组成 | 第32-35页 |
| 第4章 Zn位In掺杂β-Zn_4Sb_3晶体结构的Rietveld精修 | 第35-49页 |
| ·Zn位In掺杂β-Zn_4Sb_3晶体结构的Rietveld精修策略 | 第35-40页 |
| ·Zn位In杂质优先占位 | 第35-36页 |
| ·Zn位In掺杂上限 | 第36-37页 |
| ·初始结构模型选择 | 第37-39页 |
| ·小节 | 第39-40页 |
| ·Zn位In掺杂对β-Zn_4Sb_3晶体结构的影响 | 第40-47页 |
| ·In杂质对晶格常数的影响 | 第41-42页 |
| ·In杂质对分数坐标的影响 | 第42-43页 |
| ·In杂质对占位率的影响 | 第43-44页 |
| ·In杂质对键长和键角的影响 | 第44-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第5章 Sb位In掺杂β-Zn_4Sb_3晶体结构的Rietveld精修 | 第49-60页 |
| ·Sb位In掺杂β-Zn_4Sb_3晶体结构的Rietveld精修策略 | 第49-52页 |
| ·Sb位In杂质优先占位 | 第49-50页 |
| ·Sb位In掺杂上限 | 第50页 |
| ·初始结构模型选择 | 第50-51页 |
| ·小节 | 第51-52页 |
| ·Sb位In掺杂对β-Zn_4Sb_3晶体结构的影响 | 第52-59页 |
| ·In杂质对晶格常数的影响 | 第53页 |
| ·In杂质对分数坐标的影响 | 第53-55页 |
| ·In杂质对占位率的影响 | 第55-56页 |
| ·In杂质对键长和键角的影响 | 第56-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第6章 填隙位In掺杂β-Zn_4Sb_3晶体结构的Rietveld精修 | 第60-73页 |
| ·填隙位In掺杂β-Zn_4Sb_3晶体结构的Rietveld精修策略 | 第60-64页 |
| ·填隙位In杂质优先占位 | 第60-62页 |
| ·填隙位In掺杂上限 | 第62-63页 |
| ·初始结构模型选择 | 第63-64页 |
| ·小节 | 第64页 |
| ·填隙位In掺杂对β-Zn_4Sb_3晶体结构的影响 | 第64-71页 |
| ·In 杂质对晶格常数的影响 | 第65-66页 |
| ·In杂质对分数坐标的影响 | 第66-67页 |
| ·In杂质对占位率的影响 | 第67-69页 |
| ·In杂质对键长和键角的影响 | 第69-71页 |
| ·本章小结 | 第71-73页 |
| 第7章 结论 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 硕士期间发表论文情况 | 第79页 |
