| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 1 绪论 | 第12-28页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 薄膜晶体管(TFT)简介 | 第13-19页 |
| 1.2.1 薄膜晶体管发展简史 | 第13-14页 |
| 1.2.2 薄膜晶体管结构 | 第14-15页 |
| 1.2.3 薄膜晶体管主要性能参数 | 第15-19页 |
| 1.3 铟镓锌氧薄膜晶体管(IGZO-TFT)简介 | 第19-25页 |
| 1.3.1 IGZO-TFT的发展历史 | 第19-22页 |
| 1.3.2 IGZO薄膜的结构特点 | 第22-23页 |
| 1.3.3 IGZO薄膜的导电机理 | 第23页 |
| 1.3.4 IGZO-TFT的工作原理 | 第23-25页 |
| 1.4 本论文研究的意义和主要内容 | 第25-28页 |
| 2 IGZO薄膜制备技术和表征方法 | 第28-39页 |
| 2.1 IGZO薄膜的制备工艺及方法 | 第28-33页 |
| 2.1.1 薄膜晶体管成膜工艺 | 第28-29页 |
| 2.1.2 等离子体化学气相沉积 | 第29-30页 |
| 2.1.3 磁控溅射 | 第30-32页 |
| 2.1.4 磁控溅射操作流程 | 第32-33页 |
| 2.2 IGZO薄膜的表征方法 | 第33-38页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪 | 第33页 |
| 2.2.2 台阶仪 | 第33-34页 |
| 2.2.3 紫外-可见光分光光度计 | 第34页 |
| 2.2.4 X射线光电子能谱仪 | 第34-35页 |
| 2.2.5 霍尔效应测试仪器 | 第35-37页 |
| 2.2.6 透射电子显微镜 | 第37页 |
| 2.2.7 Keithley4200-SCS半导体测试仪 | 第37-38页 |
| 2.3 本章小结 | 第38-39页 |
| 3 IGZO-TFT有源层的制备和性能研究 | 第39-47页 |
| 3.1 IGZO-TFT有源层的制备 | 第39-40页 |
| 3.1.1 衬底的清洗处理 | 第39页 |
| 3.1.2 IGZO薄膜的制备 | 第39-40页 |
| 3.2 IGZO薄膜的优化 | 第40-46页 |
| 3.2.1 氧氩比对IGZO靶材溅射速率的影响 | 第40-42页 |
| 3.2.2 IGZO薄膜结构研究分析 | 第42-43页 |
| 3.2.3 IGZO薄膜光学性能研究 | 第43-44页 |
| 3.2.4 IGZO薄膜电学性能研究 | 第44-46页 |
| 3.3 本章小结 | 第46-47页 |
| 4 IGZO-TFT的制备及退火研究 | 第47-55页 |
| 4.1 IGZO-TFT的制备 | 第47-51页 |
| 4.1.1 清洗衬底 | 第47-48页 |
| 4.1.2 第一层钝化层氮氧化铪的制备 | 第48页 |
| 4.1.3 绝缘层氧化铪的制备 | 第48-49页 |
| 4.1.4 第二层钝化层氮氧化铪的制备 | 第49页 |
| 4.1.5 IGZO有源层的制备 | 第49-50页 |
| 4.1.6 IGZO-TFT电极的制备 | 第50-51页 |
| 4.2 退火对IGZO-TFT的影响 | 第51-53页 |
| 4.2.1 退火氛围对IGZO-TFT的影响 | 第51-52页 |
| 4.2.2 退火温度对IGZO-TFT的影响 | 第52-53页 |
| 4.3 本章小结 | 第53-55页 |
| 5 界面修饰对IGZO-TFT性能的研究 | 第55-69页 |
| 5.1 不同氮含量对IGZO-TFT电学性能的研究 | 第55-57页 |
| 5.2 钝化层厚度对薄膜晶体管电学性能的影响 | 第57-60页 |
| 5.3 钝化层厚度对IGZO-TFT的稳定性的影响 | 第60-61页 |
| 5.4 等离子体轰击IGZO背沟道层对薄膜晶体管的影响 | 第61-64页 |
| 5.5 电极材料的选择对IGZO-TFT电学性能的研究 | 第64-67页 |
| 5.6 本章小结 | 第67-69页 |
| 6 结论 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-76页 |
| 个人简历 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
