摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6页 |
第1章 绪论 | 第10-16页 |
1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第10-11页 |
1.2 高功率微波效应的研究现状与发展趋势 | 第11-14页 |
1.3 本文的主要内容及内容安排 | 第14-16页 |
第2章 随机耦合模型 | 第16-21页 |
2.1 引言 | 第16页 |
2.2 随机耦合模型 | 第16-19页 |
2.2.1 波混沌现象 | 第16-17页 |
2.2.2 腔体损耗因子的确定 | 第17-19页 |
2.2.3 随机矩阵蒙特卡罗方法模拟产生归一化阻抗矩阵 | 第19页 |
2.3 本章小结 | 第19-21页 |
第3章 随机耦合模型在复杂双腔体电磁耦合效应研究中的应用 | 第21-29页 |
3.1 引言 | 第21页 |
3.2 双腔体模型的建立与分析 | 第21-23页 |
3.3 实验平台搭建及测试 | 第23-25页 |
3.3.1 实验平台搭建 | 第23-24页 |
3.3.2 测试方法 | 第24-25页 |
3.4 结果分析 | 第25-28页 |
3.5 本章小结 | 第28-29页 |
第4章 随机耦合模型对复杂腔体内电子电路损伤概率的研究 | 第29-39页 |
4.1 引言 | 第29页 |
4.2 损伤概率模型分析 | 第29-38页 |
4.2.1 损伤概率模型建立 | 第30-31页 |
4.2.2 实验模型搭建 | 第31-32页 |
4.2.3 平面波作用下损伤概率模型实验验证的结果分析 | 第32-35页 |
4.2.4 高斯脉冲参数对损伤概率的影响 | 第35-38页 |
4.3 本章小结 | 第38-39页 |
第5章 随机耦合模型在变电站保护小间电磁防护研究中的应用 | 第39-50页 |
5.1 引言 | 第39页 |
5.2 混响室仿真的特点 | 第39-40页 |
5.3 电磁仿真软件选择 | 第40-41页 |
5.4 基于RCM的目标点感应电压求解 | 第41-43页 |
5.5 S参数仿真提取模型仿真 | 第43-44页 |
5.5.1 仿真模型建立 | 第43-44页 |
5.5.2 仿真S参数及同轴电缆终端感应电压 | 第44页 |
5.6 RCM有效性验证 | 第44-45页 |
5.7 RCM对高斯脉冲激励下目标点处感应电压的预测 | 第45-48页 |
5.7.1 不同脉宽、不同上升沿及不同脉冲幅值高斯脉冲激励下的预测 | 第45-47页 |
5.7.2 不同脉冲间隔及不同脉冲个数的高斯多脉冲激励下的预测 | 第47-48页 |
5.8 本章小结 | 第48-50页 |
第6章 结论与展望 | 第50-52页 |
6.1 结论 | 第50页 |
6.2 展望 | 第50-52页 |
参考文献 | 第52-56页 |
攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第56-57页 |
致谢 | 第57页 |