| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 1 绪论 | 第11-31页 |
| ·论文的选题背景 | 第11-12页 |
| ·CdZnTe晶片的应用 | 第11-12页 |
| ·课题的来源和意义 | 第12页 |
| ·CdZnTe晶体的结构和特性 | 第12-16页 |
| ·CdZnTe晶体结构和物理特性 | 第12-15页 |
| ·CdZnTe晶体的极性 | 第15-16页 |
| ·CdZnTe晶体的制备工艺研究现状 | 第16-18页 |
| ·脆性晶体材料力学特性的研究现状 | 第18-20页 |
| ·脆性晶体材料的表面加工技术及CdZnTe晶片的加工工艺研究现状 | 第20-25页 |
| ·脆性晶体材料的超精密磨削技术 | 第20页 |
| ·脆性晶体材料的抛光加工技术 | 第20-23页 |
| ·CdZnTe晶片的加工工艺研究现状 | 第23-25页 |
| ·脆性晶体加工表面损伤检测及CdZnTe晶体加工表面损伤研究现状 | 第25-30页 |
| ·脆性晶体损伤的检测方法 | 第25-29页 |
| ·CdZnTe晶体加工表面损伤的研究现状 | 第29-30页 |
| ·本课题的研究内容 | 第30-31页 |
| 2 CdZnTe晶体纳米力学行为分析 | 第31-57页 |
| ·纳米压痕试验和划痕试验方法简介 | 第31-35页 |
| ·纳米压痕试验方法简介 | 第31-34页 |
| ·纳米划痕试验方法简介 | 第34-35页 |
| ·CdZnTe晶体的纳米压痕试验 | 第35-46页 |
| ·试验条件与方法 | 第35-37页 |
| ·试验结果与分析 | 第37-46页 |
| ·CdZnTe晶体的纳米划痕试验 | 第46-55页 |
| ·试验条件与方法 | 第46页 |
| ·试验结果与分析 | 第46-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 3 现有工艺加工CdZnTe晶片时的加工表面/亚表面损伤 | 第57-70页 |
| ·试验条件和方法 | 第57-59页 |
| ·试验结果和讨论 | 第59-69页 |
| ·切割CdZnTe晶片时的表面/亚表面损伤 | 第59-61页 |
| ·研磨CdZnTe晶片时的表面/亚表面损伤 | 第61-65页 |
| ·机械抛光CdZnTe晶片时的表面/亚表面损伤 | 第65-67页 |
| ·CdZnTe晶片经过腐蚀后的表面/亚表面质量 | 第67-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 4 CdZnTe晶片的固结磨粒加工工艺研究 | 第70-87页 |
| ·固结磨粒研磨CdZnTe晶片的试验研究 | 第70-72页 |
| ·试验条件 | 第70页 |
| ·试验结果和讨论 | 第70-72页 |
| ·CdZnTe晶片磨削工艺研究 | 第72-85页 |
| ·试验条件 | 第72-75页 |
| ·试验结果和讨论 | 第75-85页 |
| ·本章小结 | 第85-87页 |
| 5 CdZnTe晶片化学机械抛光工艺的研究 | 第87-115页 |
| ·抛光垫的选择 | 第87-88页 |
| ·试验条件和方法 | 第87页 |
| ·试验结果和讨论 | 第87-88页 |
| ·抛光液中磨料的选择 | 第88-94页 |
| ·分散法制成的硅溶胶 | 第89-90页 |
| ·凝聚法制成的硅溶胶 | 第90-94页 |
| ·抛光液中氧化剂的选择 | 第94-102页 |
| ·不同氧化剂对CdZnTe晶片静态腐蚀率和材料去除率的影响 | 第94-99页 |
| ·不同氧化剂对CdZnTe晶片表面质量的影响 | 第99-102页 |
| ·抛光压力和抛光盘转数的选择 | 第102-105页 |
| ·化学机械抛光CdZnTe晶片时的表面/亚表面质量 | 第105-113页 |
| ·试验条件和方法 | 第105-107页 |
| ·试验结果和讨论 | 第107-113页 |
| ·本章小结 | 第113-115页 |
| 结论与展望 | 第115-118页 |
| 参考文献 | 第118-125页 |
| 附录A 西北工业大学凝固技术国家重点实验室分析测试报告 | 第125-126页 |
| 附录B 应用成果证明 | 第126-127页 |
| 附录C 上海技术物理研究所分析测试报告 | 第127-128页 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文情况 | 第128-130页 |
| 创新点摘要 | 第130-131页 |
| 致谢 | 第131-132页 |
| 作者简介 | 第132-134页 |
