IGBT串联特性及均压技术研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 注释表 | 第13-14页 |
| 缩略词 | 第14-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-26页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第15-16页 |
| 1.2 IGBT串联研究现状 | 第16-24页 |
| 1.2.1 功率端均压技术 | 第17-19页 |
| 1.2.2 驱动端均压技术 | 第19-24页 |
| 1.3 本文的研究内容与意义 | 第24-26页 |
| 1.3.1 研究内容 | 第24-25页 |
| 1.3.2 研究意义 | 第25-26页 |
| 第二章 IGBT开关过程描述及其关键参数提取 | 第26-42页 |
| 2.1 IGBT基本结构 | 第26-27页 |
| 2.2 IGBT工作原理 | 第27-31页 |
| 2.2.1 IGBT等效电路 | 第27-28页 |
| 2.2.2 IGBT开通过程 | 第28-29页 |
| 2.2.3 IGBT关断过程 | 第29-30页 |
| 2.2.4 MOS部分电流 | 第30-31页 |
| 2.3 IGBT数学模型 | 第31-32页 |
| 2.4 IGBT关键参数提取 | 第32-39页 |
| 2.3.1 双脉冲测试平台 | 第33-34页 |
| 2.3.2 阀值电压和跨导系数 | 第34页 |
| 2.3.3 栅极电容参数 | 第34-36页 |
| 2.3.4 基区和场截止层载流子寿命 | 第36-37页 |
| 2.3.5 芯片有效面积 | 第37页 |
| 2.3.6 发射极反向饱和电流 | 第37-38页 |
| 2.3.7 基区宽度和基区掺杂浓度 | 第38页 |
| 2.3.8 栅-漏极交叠面积 | 第38-39页 |
| 2.5 参数提取结果验证 | 第39-41页 |
| 2.6 本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 IGBT串联不均压分析 | 第42-61页 |
| 3.1 IGBT串联静态不均压 | 第42页 |
| 3.2 IGBT串联动态过程 | 第42-46页 |
| 3.2.1 串联开通过程分析 | 第43-44页 |
| 3.2.2 串联关断过程分析 | 第44-46页 |
| 3.3 IGBT串联动态不均压影响因素 | 第46-49页 |
| 3.3.1 自身参数差异 | 第46-48页 |
| 3.3.2 外围参数差异 | 第48-49页 |
| 3.4 不均压情况仿真及实验测试 | 第49-59页 |
| 3.4.1 不同栅极电容 | 第50-53页 |
| 3.4.2 不同驱动电阻 | 第53-55页 |
| 3.4.3 不同驱动电压 | 第55-56页 |
| 3.4.4 不同集电极电流条件 | 第56-57页 |
| 3.4.5 不同驱动信号延时条件 | 第57-59页 |
| 3.5 本章小结 | 第59-61页 |
| 第四章 基于有源箝位的反馈控制均压方案 | 第61-78页 |
| 4.1 静态均压方案 | 第61-62页 |
| 4.2 稳压管有源箝位动态均压方案 | 第62-65页 |
| 4.2.1 拓扑结构 | 第62-63页 |
| 4.2.2 工作原理 | 第63-64页 |
| 4.2.3 关键参数设计 | 第64-65页 |
| 4.2.4 仿真效果分析 | 第65页 |
| 4.3 有源箝位反馈控制均压 | 第65-70页 |
| 4.3.1 有源箝位电路及不均压信号反馈 | 第66-67页 |
| 4.3.2 不均压反馈量测试 | 第67-68页 |
| 4.3.3 控制信号处理 | 第68-70页 |
| 4.4 实验结果与分析 | 第70-77页 |
| 4.4.1 固定步长调节 | 第71-73页 |
| 4.4.2 变步长调节 | 第73-74页 |
| 4.4.3 比例调节 | 第74页 |
| 4.4.4 平方比例调节 | 第74-76页 |
| 4.4.5 有源箝位反馈控制均压调节过程 | 第76-77页 |
| 4.5 本章小结 | 第77-78页 |
| 第五章 总结与展望 | 第78-81页 |
| 5.1 全文工作总结 | 第78页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第78-81页 |
| 参考文献 | 第81-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第86页 |
