| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第16-31页 |
| 1.1 引言 | 第16-17页 |
| 1.2 二维纳米材料的研究进展 | 第17-20页 |
| 1.2.1 二维纳米材料的种类 | 第17-18页 |
| 1.2.2 二维纳米材料的性质与性能研究 | 第18-20页 |
| 1.3 二维MoS_2的研究进展 | 第20-24页 |
| 1.3.1 二维MoS_2的结构 | 第20-21页 |
| 1.3.2 二维MoS_2的性质 | 第21-22页 |
| 1.3.3 MoS_2的功能化修饰与性能调节 | 第22-24页 |
| 1.4 一维叠茂纳米线的研究进展 | 第24-26页 |
| 1.4.1 一维叠茂MnBz_(n+1)的结构和性质 | 第24-25页 |
| 1.4.2 一维叠茂MnBz_(n+1)功能化修饰与性能调节 | 第25-26页 |
| 1.5 零维富勒烯的研究进展 | 第26-29页 |
| 1.5.1 C_(60)富勒烯的结构和性质 | 第27-28页 |
| 1.5.2 富勒烯的功能化修饰与性能调节 | 第28-29页 |
| 1.6 课题来源与研究内容 | 第29-31页 |
| 1.6.1 课题来源 | 第29页 |
| 1.6.2 研究内容 | 第29-31页 |
| 第2章 计算方法的理论基础 | 第31-38页 |
| 2.1 电子结构的计算方法 | 第31-35页 |
| 2.1.1 能带理论 | 第31-34页 |
| 2.1.2 态密度 | 第34-35页 |
| 2.2 量子输运理论 | 第35-38页 |
| 2.2.1 非格林平衡函数 | 第35-37页 |
| 2.2.2 Landauer-Bütiker公式 | 第37-38页 |
| 第3章 (VBz)n/MoS_2异质结的电子结构和输运性质研究 | 第38-64页 |
| 3.1 引言 | 第38-39页 |
| 3.2 模型的建立和计算方法 | 第39-44页 |
| 3.2.1 模型的建立 | 第39-42页 |
| 3.2.2 计算方法 | 第42-44页 |
| 3.3 (VBz)n/MoS_2的电子结构 | 第44-54页 |
| 3.3.1 (VBz)n/MoS_2的几何结构 | 第44-46页 |
| 3.3.2 (VBz)n/MoS_2的能带 | 第46-53页 |
| 3.3.3 (VBz)n/MoS_2的磁性质 | 第53-54页 |
| 3.4 (VBz)n/MoS_2的输运性质 | 第54-62页 |
| 3.4.1 (VBz)n/MoS_2的I-V曲线 | 第55-58页 |
| 3.4.2 (VBz)n/MoS_2的ES和MPSH | 第58-60页 |
| 3.4.3 (VBz)n/MoS_2的传输谱 | 第60-61页 |
| 3.4.4 (VBz)n/MoS_2的电压降 | 第61-62页 |
| 3.5 本章小结 | 第62-64页 |
| 第4章 (VBz)n/MoS_2/(VBz)n异质结的电子结构和输运性质研究 | 第64-88页 |
| 4.1 引言 | 第64页 |
| 4.2 模型的建立与计算方法 | 第64-72页 |
| 4.2.1 模型的建立 | 第64-72页 |
| 4.2.2 计算方法 | 第72页 |
| 4.3 (VBz)n/MoS_2/(VBz)n的电子结构 | 第72-79页 |
| 4.3.1 (VBz)n/MoS_2/(VBz)n的几何结构 | 第72-74页 |
| 4.3.2 (VBz)n/MoS_2/(VBz)n的能带 | 第74-78页 |
| 4.3.3 (VBz)n/MoS_2/(VBz)n的磁性质 | 第78-79页 |
| 4.4 (VBz)n/MoS_2/(VBz)n的输运性质 | 第79-86页 |
| 4.4.1 (VBz)n/MoS_2/(VBz)n的I-V曲线 | 第80-82页 |
| 4.4.2 (VBz)n/MoS_2/(VBz)n的ES和MPSH | 第82-83页 |
| 4.4.3 (VBz)n/MoS_2/(VBz)n的传输谱 | 第83-85页 |
| 4.4.4 (VBz)n/MoS_2/(VBz)n的电压降 | 第85-86页 |
| 4.5 本章小结 | 第86-88页 |
| 第5章 (VC_(24))n/MoS_2异质结的电子结构和输运性质研究 | 第88-108页 |
| 5.1 引言 | 第88-89页 |
| 5.2 模型的构建与计算方法 | 第89-92页 |
| 5.2.1 模型的构建 | 第89-92页 |
| 5.2.2 计算方法 | 第92页 |
| 5.3 (VC_(24))n/MoS_2的电子结构 | 第92-100页 |
| 5.3.1 (VC_(24))n/MoS_2的几何结构 | 第92-94页 |
| 5.3.2 (VC_(24))n/MoS_2的能带 | 第94-99页 |
| 5.3.3 (VC_(24))n/MoS_2的磁性质 | 第99-100页 |
| 5.4 (VC_(24))n/MoS_2的输运性质 | 第100-106页 |
| 5.4.1 (VC_(24))n/MoS_2的I-V曲线 | 第100-102页 |
| 5.4.2 (VC_(24))n/MoS_2的ES和MPSH分析 | 第102-104页 |
| 5.4.3 (VC_(24))n/MoS_2的传输谱 | 第104-105页 |
| 5.4.4 (VC_(24))n/MoS_2的电压降 | 第105-106页 |
| 5.5 本章小结 | 第106-108页 |
| 结论 | 第108-110页 |
| 参考文献 | 第110-121页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第121-122页 |
| 致谢 | 第122页 |
