GaN低维材料的电子结构和热电性质研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 热电材料发展背景及研究意义 | 第8-9页 |
| 1.1.1 发展背景 | 第8页 |
| 1.1.2 研究意义 | 第8-9页 |
| 1.2 各种热电材料的研究现状 | 第9-12页 |
| 1.3 研究内容及论文安排 | 第12-14页 |
| 1.3.1 研究内容 | 第12页 |
| 1.3.2 论文安排 | 第12-14页 |
| 第2章 理论原理及热电性能增强方式 | 第14-24页 |
| 2.1 第一性原理 | 第14页 |
| 2.2 绝热近似 | 第14-15页 |
| 2.3 密度泛函理论 | 第15-16页 |
| 2.3.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第15-16页 |
| 2.3.2 Kohn-Sham方程 | 第16页 |
| 2.4 交换相关泛函 | 第16-19页 |
| 2.4.1 局域密度近似(LDA) | 第17页 |
| 2.4.2 广义梯度近似(GGA) | 第17-18页 |
| 2.4.3 非局域泛函 | 第18页 |
| 2.4.4 轨道泛函 | 第18-19页 |
| 2.4.5 杂化泛函 | 第19页 |
| 2.5 玻尔兹曼理论 | 第19-20页 |
| 2.6 热电性能增强方式 | 第20-22页 |
| 2.6.1 合金化 | 第20-21页 |
| 2.6.2 掺杂 | 第21页 |
| 2.6.3 低维化 | 第21-22页 |
| 2.6.4 梯度化 | 第22页 |
| 2.7 本章小结 | 第22-24页 |
| 第3章 应用软件及理论计算过程 | 第24-28页 |
| 3.1 应用软件介绍 | 第24-25页 |
| 3.2 GaN低维材料的理论计算过程 | 第25-27页 |
| 3.2.1 晶体模型建立 | 第25页 |
| 3.2.2 优化计算 | 第25-26页 |
| 3.2.3 静态计算 | 第26页 |
| 3.2.4 非自洽计算 | 第26页 |
| 3.2.5 热电特性计算 | 第26-27页 |
| 3.3 本章小结 | 第27-28页 |
| 第4章 GaN低维材料的电子结构理论分析 | 第28-36页 |
| 4.1 GaN纳米管的电子结构理论分析 | 第28-31页 |
| 4.1.1 GaN纳米管的晶体结构理论分析 | 第28-29页 |
| 4.1.2 GaN纳米管的能带结构理论分析 | 第29-30页 |
| 4.1.3 GaN纳米管的态密度理论分析 | 第30-31页 |
| 4.2 GaN表面的电子结构理论分析 | 第31-34页 |
| 4.2.1 GaN表面的晶体结构理论分析 | 第31-32页 |
| 4.2.2 GaN表面的能带结构理论分析 | 第32-33页 |
| 4.2.3 GaN表面的态密度理论分析 | 第33-34页 |
| 4.3 本章小结 | 第34-36页 |
| 第5章 GaN纳米管结构的热电特性理论分析 | 第36-46页 |
| 5.1 塞贝克系数的理论分析 | 第36-38页 |
| 5.2 电导率的理论分析 | 第38-40页 |
| 5.3 功率因子的理论分析 | 第40-42页 |
| 5.4 热电优值的理论分析 | 第42-45页 |
| 5.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 第6章 GaN表面结构的热电特性理论分析 | 第46-56页 |
| 6.1 塞贝克系数的理论分析 | 第46-48页 |
| 6.2 电导率的理论分析 | 第48-50页 |
| 6.3 功率因子的理论分析 | 第50-52页 |
| 6.4 热电优值的理论分析 | 第52-54页 |
| 6.5 本章小结 | 第54-56页 |
| 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的论文 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
