低相位噪声、宽频域CMOS集成压控振荡器设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第13-19页 |
| 1.1 压控振荡器研究背景及意义 | 第13-14页 |
| 1.2 压控振荡器国内外研究现状 | 第14-17页 |
| 1.3 压控振荡器研究方法 | 第17页 |
| 1.4 论文构成及研究内容 | 第17-19页 |
| 第2章 压控振荡器设计的理论基础 | 第19-31页 |
| 2.1 压控振荡器模型分类 | 第19-21页 |
| 2.1.1 双端负反馈系统 | 第19-20页 |
| 2.1.2 单端能量补偿系统 | 第20-21页 |
| 2.2 压控振荡器结构分类 | 第21-23页 |
| 2.2.1 单端结构 | 第22页 |
| 2.2.2 交叉耦合全差分结构 | 第22-23页 |
| 2.3 压控振荡器设计约束 | 第23-24页 |
| 2.4 RLC谐振回路 | 第24-30页 |
| 2.4.1 简单RLC谐振回路 | 第24-26页 |
| 2.4.2 片上电感 | 第26-29页 |
| 2.4.3 可变电容 | 第29-30页 |
| 2.5 本章小结 | 第30-31页 |
| 第3章 LC压控振荡器相位噪声性能分析 | 第31-42页 |
| 3.1 相位噪声概述 | 第31-33页 |
| 3.2 相位噪声模型 | 第33-38页 |
| 3.2.1 线性时不变模型 | 第33-34页 |
| 3.2.2 线性时变模型 | 第34-38页 |
| 3.3 相位噪声优化 | 第38-41页 |
| 3.3.1 电路结构优化 | 第39页 |
| 3.3.2 尾电流噪声优化 | 第39-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第4章 低相位噪声、宽频域VCO的设计与仿真 | 第42-56页 |
| 4.1 电路方案 | 第42-49页 |
| 4.1.1 拓扑结构设计 | 第42-44页 |
| 4.1.2 电感设计 | 第44页 |
| 4.1.3 开关电容阵列设计 | 第44-47页 |
| 4.1.4 MOS变容管设计 | 第47页 |
| 4.1.5 交叉耦合管设计 | 第47-48页 |
| 4.1.6 LC压控振荡器设计 | 第48-49页 |
| 4.2 LC压控振荡器仿真 | 第49-55页 |
| 4.2.1 LCVCO起振仿真 | 第49-52页 |
| 4.2.2 LCVCO调谐频率仿真 | 第52-53页 |
| 4.2.3 LCVCO相位噪声仿真 | 第53-55页 |
| 4.3 本章小结 | 第55-56页 |
| 总结与展望 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
