首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--真空电子技术论文--电子光学仪器论文

纳米尺度等离激元近场分布影响因素的研究

摘要第4-5页
ABSTRACT第5-6页
第一章 绪论第8-19页
    1.1 引言第8页
    1.2 等离激元发展历程概述第8-9页
    1.3 等离激元激发方式及其应用领域第9-15页
    1.4 等离激元近场分布影响因素概述第15-17页
    1.5 研究内容以及研究目的和意义第17-18页
    1.6 论文主要内容及安排第18-19页
第二章 表面等离激元的基础理论及模拟方法第19-28页
    2.1 引言第19页
    2.2 等离激元基本性质第19-22页
    2.3 等离激元近场的控制机制及其描述第22-24页
    2.4 时域有限差分模拟方法及其原理第24-27页
    2.5 本章小结第27-28页
第三章 等离激元近场分布控制因素的研究第28-43页
    3.1 引言第28页
    3.2 纳米结构设计与模拟设置第28-29页
    3.3 纳米结构形状对等离激元近场分布的影响第29-30页
    3.4 光源参数对等离激元近场分布的影响第30-36页
    3.5 周围介电环境对等离激元近场分布的影响第36-37页
    3.6 结构缺欠对等离激元近场分布的影响第37-42页
    3.7 本章小结第42-43页
第四章 纳米结构近场分布控制过程的高空间分辨成像研究第43-52页
    4.1 引言第43页
    4.2 光辐射电子显微镜描述与近场成像实验装置第43-46页
    4.3 等离激元近场分布控制的高空间分辨率成像研究第46-49页
    4.4 缺欠激发对等离激元近场分布干扰的实验研究第49-51页
    4.5 本章小结第51-52页
总结第52-53页
致谢第53-54页
参考文献第54-58页
攻读硕士期间学术成果第58页

论文共58页,点击 下载论文
上一篇:2微米波段宽带宽高反射率亚波长光栅的设计
下一篇:有机半导体光伏器件活性层相分离结构调控