| 中文摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 贵金属纳米材料 | 第10-17页 |
| 1.1.1 纳米材料的基本性质概述 | 第10-11页 |
| 1.1.2 贵金属纳米材料的制备方法 | 第11-14页 |
| 1.1.3 贵金属纳米材料的催化和电化学应用 | 第14-17页 |
| 1.2 欠电位沉积 | 第17-18页 |
| 1.3 本文构思 | 第18-19页 |
| 第二章 Pb欠电位沉积干预本体Pt电沉积用于非酶检测葡萄糖 | 第19-39页 |
| 2.1 引言 | 第19-20页 |
| 2.2 实验部分 | 第20-23页 |
| 2.2.1 仪器和试剂 | 第20-21页 |
| 2.2.2 实验步骤 | 第21-23页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第23-37页 |
| 2.3.2 葡萄糖在Pt_(UPD)/GCE上的电催化氧化 | 第32-37页 |
| 2.4 小结 | 第37-39页 |
| 第三章 Cu欠电位沉积干预本体Pt电沉积用于检测乙醇 | 第39-50页 |
| 3.1 引言 | 第39-40页 |
| 3.2 实验部分 | 第40-41页 |
| 3.2.1 仪器和试剂 | 第40-41页 |
| 3.2.2 实验步骤 | 第41页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第41-49页 |
| 3.3.1 电合成ERGO/GC电极 | 第41-42页 |
| 3.3.2 Cu在Pt电极的UPD研究 | 第42-44页 |
| 3.3.3 电化学表征 | 第44-45页 |
| 3.3.4 不同修饰电极对乙醇的电催化氧化性能 | 第45-47页 |
| 3.3.5 优化实验条件 | 第47-48页 |
| 3.3.6 Pt_(UPD)/ERGO/GCE对CH_3CH_2OH的计时安培检测 | 第48-49页 |
| 3.4 小结 | 第49-50页 |
| 第四章 Pb欠电位沉积干预本体Au电沉积用于As(Ⅲ)的阳极溶出伏安检测分析 | 第50-60页 |
| 4.1 引言 | 第50-51页 |
| 4.2 实验部分 | 第51-52页 |
| 4.2.1 试剂和仪器 | 第51页 |
| 4.2.2 实验步骤 | 第51-52页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第52-59页 |
| 4.3.1 Pb在Au电极上的UPD研究 | 第52-54页 |
| 4.3.2 电化学表征 | 第54-55页 |
| 4.3.3 不同修饰电极对As(Ⅲ)的检测性能 | 第55-56页 |
| 4.3.4 优化实验条件 | 第56-58页 |
| 4.3.5 方波溶出伏安法检测As(Ⅲ) | 第58-59页 |
| 4.4 小结 | 第59-60页 |
| 结论与展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-71页 |
| 硕士期间发表的相关论文 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
