| 摘要 | 第3-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第14-44页 |
| 1.1 引言 | 第14-15页 |
| 1.2 Ⅲ族氮化物材料的基本物理特性 | 第15-21页 |
| 1.2.1 晶体结构 | 第15-17页 |
| 1.2.2 能带结构 | 第17-18页 |
| 1.2.3 三元及四元合金 | 第18-19页 |
| 1.2.4 极化效应 | 第19-21页 |
| 1.3 GaN基LED器件简介 | 第21-28页 |
| 1.3.1 GaN基LED的主要发展历程 | 第21-22页 |
| 1.3.2 GaN基多量子阱LED | 第22页 |
| 1.3.3 量子阱中的束缚量子态 | 第22-24页 |
| 1.3.4 载流子的复合机制 | 第24-26页 |
| 1.3.5 LED的发光效率 | 第26-28页 |
| 1.4 GaN基LED中的缺陷 | 第28-31页 |
| 1.4.1 点缺陷 | 第28页 |
| 1.4.2 杂质 | 第28-29页 |
| 1.4.3 复合缺陷 | 第29页 |
| 1.4.4 位错 | 第29-30页 |
| 1.4.5 V型坑 | 第30-31页 |
| 1.4.6 堆垛层错与沟槽缺陷 | 第31页 |
| 1.5 InGaN中的相分离和偏析 | 第31-32页 |
| 1.5.1 相分离 | 第31-32页 |
| 1.5.2 In偏析 | 第32页 |
| 1.6 界面调控提高外延片质量的方法 | 第32-35页 |
| 1.6.1 衬底/GaN界面 | 第33-34页 |
| 1.6.2 GaN/量子阱界面 | 第34页 |
| 1.6.3 量子阱/垒界面 | 第34-35页 |
| 1.7 选题意义和研究内容 | 第35-37页 |
| 1.7.1 选题意义 | 第35-36页 |
| 1.7.2 研究内容 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-44页 |
| 第2章 GaN基半导体材料的制备和表征 | 第44-64页 |
| 2.1 引言 | 第44页 |
| 2.2 GaN基材料常用的外延生长工艺 | 第44-45页 |
| 2.3 MOCVD系统的主要组成部分 | 第45-48页 |
| 2.3.1 反应室和加热系统 | 第46页 |
| 2.3.2 气体输运系统 | 第46-48页 |
| 2.3.3 尾气处理系统 | 第48页 |
| 2.4 金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术 | 第48-52页 |
| 2.4.1 MOCVD技术原理 | 第48-50页 |
| 2.4.2 MOCVD主要工艺步骤 | 第50-51页 |
| 2.4.3 MOCVD的在线监控 | 第51-52页 |
| 2.5 半导体材料的表征方法 | 第52-61页 |
| 2.5.1 光致发光测试 | 第52-56页 |
| 2.5.2 X射线衍射测试 | 第56-60页 |
| 2.5.3 原子力显微镜测试(AFM) | 第60-61页 |
| 2.6 本章小结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 第3章 GaN低温盖层的生长工艺对多量子阱结构性能的影响 | 第64-98页 |
| 3.1 引言 | 第64-65页 |
| 3.2 GaN低温盖层厚度对多量子阱结构性能的影响 | 第65-72页 |
| 3.2.1 实验部分 | 第65-66页 |
| 3.2.2 结果与讨论 | 第66-72页 |
| 3.3 生长GaN低温盖层中通入H_2对多量子阱结构的影响 | 第72-83页 |
| 3.3.1 实验部分 | 第72-73页 |
| 3.3.2 结果与讨论 | 第73-83页 |
| 3.4 两步法生长GaN低温盖层对多量子阱性能的影响 | 第83-90页 |
| 3.4.1 实验部分 | 第83页 |
| 3.4.2 结果与讨论 | 第83-90页 |
| 3.5 本章小结 | 第90页 |
| 参考文献 | 第90-98页 |
| 第4章 量子阱/垒界面H_2处理对多量子阱结构性能的影响 | 第98-116页 |
| 4.1 引言 | 第98页 |
| 4.2 量子阱/垒界面的H_2处理 | 第98-101页 |
| 4.2.1 实验部分 | 第98-100页 |
| 4.2.2 结果与讨论 | 第100-101页 |
| 4.3 H_2处理温度的影响 | 第101-110页 |
| 4.3.1 实验部分 | 第101-102页 |
| 4.3.2 结果与讨论 | 第102-110页 |
| 4.4 本章小结 | 第110-111页 |
| 参考文献 | 第111-116页 |
| 第5章 InGaN绿光量子阱的调制生长 | 第116-134页 |
| 5.1 引言 | 第116-117页 |
| 5.2 高In组分InGaN阱层的生长中断 | 第117-123页 |
| 5.2.1 实验部分 | 第117-118页 |
| 5.2.2 结果与讨论 | 第118-123页 |
| 5.3 In处理 | 第123-128页 |
| 5.3.1 实验部分 | 第123-124页 |
| 5.3.2 结果与讨论 | 第124-128页 |
| 5.4 本章小结 | 第128-129页 |
| 参考文献 | 第129-134页 |
| 第6章 结论与展望 | 第134-138页 |
| 6.1 结论 | 第134-135页 |
| 6.2 创新点 | 第135-136页 |
| 6.3 展望 | 第136-138页 |
| 攻读博士期间所取得的科研成果 | 第138-140页 |
| 发表的论文 | 第138-139页 |
| 申请的专利 | 第139-140页 |
| 致谢 | 第140页 |
