首页--数理科学和化学论文--化学论文--无机化学论文--非金属元素及其化合物论文--第Ⅳ族非金属元素(碳和硅)及其化合物论文--碳C论文

单晶石墨烯形成机理的研究

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
第1章 绪论第8-23页
    1.1 研究背景第8-9页
    1.2 石墨烯的结构、性质及应用第9-11页
        1.2.1 石墨烯的结构和优异性质第9-10页
        1.2.2 石墨烯的应用第10-11页
    1.3 石墨烯的制备方法第11-16页
    1.4 化学气相沉积石墨烯的研究现状及存在问题第16-21页
        1.4.1 CVD 石墨烯的研究现状第16-17页
        1.4.2 铜表面 CVD 石墨烯的实验研究现状第17-20页
        1.4.3 铜表面 CVD 单晶石墨烯形核机理的研究现状第20-21页
    1.5 主要的研究内容及目的第21-23页
第2章 研究方法第23-28页
    2.1 第一性原理计算概述第23-25页
        2.1.1 第一性原理方法第23页
        2.1.2 密度泛函理论第23-25页
    2.2 VASP 计算软件第25-26页
    2.3 微波等离子化学气相沉积系统(MPCVD)第26-28页
第3章 石墨烯形核机理的研究第28-49页
    3.1 引言第28-29页
    3.2 模型建立与验证第29-32页
        3.2.1 铜晶体结构模型优化第30-31页
        3.2.2 Cu(111)面弛豫计算第31-32页
    3.3 Cu(111)面上 C 单原子和 CHx 基团的吸附计算第32-35页
        3.3.1 Cu(111)面上 C 单原子的吸附第32-34页
        3.3.2 Cu(111)面上 CHx 基团的吸附第34-35页
    3.4 基于 C、H 原子的 CxHy 小团簇在 Cu(111)面的形成第35-42页
    3.5 C_3H_4和 C_3H_5对称团簇的形成和生长第42-48页
        3.5.1 基于 C、CHx 的 C_3H_4和 C_3H_5团簇在 Cu(111)面的形成第42-45页
        3.5.2 C_3H_4和 C_3H_5团簇在 Cu(111)表面的生长第45-48页
    3.6 本章小结第48-49页
第4章 石墨烯制备的实验研究第49-59页
    4.1 实验药品与设备第49-50页
        4.1.1 实验药品第49页
        4.1.2 实验设备第49-50页
    4.2 铜衬底的预处理第50-54页
        4.2.1 对铜箔进行电化学抛光处理第50-53页
        4.2.2 对铜箔进行高温退火处理第53-54页
    4.3 MPCVD 石墨烯的制备工艺流程第54-56页
    4.4 石墨烯的转移与检测第56-58页
        4.4.1 石墨烯的转移第56-57页
        4.4.2 石墨烯性能检测方法第57-58页
    4.5 本章小结第58-59页
第5章 全文总结和展望第59-62页
    5.1 工作总结第59-60页
    5.2 工作展望第60-62页
参考文献第62-70页
索引第70-72页
在学研究成果第72-73页
致谢第73页

论文共73页,点击 下载论文
上一篇:采动影响下巷道支护研究
下一篇:基于TAM模型的消费者感知互动对消费者态度的影响研究--以化妆品网站为例