| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-23页 |
| 1.1 研究背景 | 第8-9页 |
| 1.2 石墨烯的结构、性质及应用 | 第9-11页 |
| 1.2.1 石墨烯的结构和优异性质 | 第9-10页 |
| 1.2.2 石墨烯的应用 | 第10-11页 |
| 1.3 石墨烯的制备方法 | 第11-16页 |
| 1.4 化学气相沉积石墨烯的研究现状及存在问题 | 第16-21页 |
| 1.4.1 CVD 石墨烯的研究现状 | 第16-17页 |
| 1.4.2 铜表面 CVD 石墨烯的实验研究现状 | 第17-20页 |
| 1.4.3 铜表面 CVD 单晶石墨烯形核机理的研究现状 | 第20-21页 |
| 1.5 主要的研究内容及目的 | 第21-23页 |
| 第2章 研究方法 | 第23-28页 |
| 2.1 第一性原理计算概述 | 第23-25页 |
| 2.1.1 第一性原理方法 | 第23页 |
| 2.1.2 密度泛函理论 | 第23-25页 |
| 2.2 VASP 计算软件 | 第25-26页 |
| 2.3 微波等离子化学气相沉积系统（MPCVD） | 第26-28页 |
| 第3章 石墨烯形核机理的研究 | 第28-49页 |
| 3.1 引言 | 第28-29页 |
| 3.2 模型建立与验证 | 第29-32页 |
| 3.2.1 铜晶体结构模型优化 | 第30-31页 |
| 3.2.2 Cu(111)面弛豫计算 | 第31-32页 |
| 3.3 Cu(111)面上 C 单原子和 CHx 基团的吸附计算 | 第32-35页 |
| 3.3.1 Cu(111)面上 C 单原子的吸附 | 第32-34页 |
| 3.3.2 Cu(111)面上 CHx 基团的吸附 | 第34-35页 |
| 3.4 基于 C、H 原子的 CxHy 小团簇在 Cu(111)面的形成 | 第35-42页 |
| 3.5 C_3H_4和 C_3H_5对称团簇的形成和生长 | 第42-48页 |
| 3.5.1 基于 C、CHx 的 C_3H_4和 C_3H_5团簇在 Cu(111)面的形成 | 第42-45页 |
| 3.5.2 C_3H_4和 C_3H_5团簇在 Cu(111)表面的生长 | 第45-48页 |
| 3.6 本章小结 | 第48-49页 |
| 第4章 石墨烯制备的实验研究 | 第49-59页 |
| 4.1 实验药品与设备 | 第49-50页 |
| 4.1.1 实验药品 | 第49页 |
| 4.1.2 实验设备 | 第49-50页 |
| 4.2 铜衬底的预处理 | 第50-54页 |
| 4.2.1 对铜箔进行电化学抛光处理 | 第50-53页 |
| 4.2.2 对铜箔进行高温退火处理 | 第53-54页 |
| 4.3 MPCVD 石墨烯的制备工艺流程 | 第54-56页 |
| 4.4 石墨烯的转移与检测 | 第56-58页 |
| 4.4.1 石墨烯的转移 | 第56-57页 |
| 4.4.2 石墨烯性能检测方法 | 第57-58页 |
| 4.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 第5章 全文总结和展望 | 第59-62页 |
| 5.1 工作总结 | 第59-60页 |
| 5.2 工作展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-70页 |
| 索引 | 第70-72页 |
| 在学研究成果 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
