| 中文摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-8页 |
| 第1章 前言 | 第12-24页 |
| 1.1 纳米管材料 | 第12-14页 |
| 1.2 二维纳米材料 | 第14-15页 |
| 1.3 非线性光学性质 | 第15-16页 |
| 1.4 传统非线性光学材料 | 第16-18页 |
| 1.5 纳米非线光学材料 | 第18-21页 |
| 1.6 本论文的主要内容和研究意义 | 第21-24页 |
| 第2章 理论基础与计算方法 | 第24-30页 |
| 2.1 量子化学发展简介 | 第24页 |
| 2.2 密度泛函理论简介 | 第24-26页 |
| 2.3 交换关联泛函简介 | 第26-27页 |
| 2.4 线性和非线性光性质计算方法 | 第27-29页 |
| 2.5 影响光学性质计算精度的因素 | 第29-30页 |
| 第3章 三维GeC晶体、类石墨烯G-GeC以及相应纳米管的非线性光学性质 | 第30-46页 |
| 3.1 引言 | 第30-31页 |
| 3.2 模型和计算方法 | 第31-33页 |
| 3.3 结果和讨论 | 第33-40页 |
| 3.3.1 闪锌矿和纤锌矿GeC | 第33-34页 |
| 3.3.2 单层g-GeC | 第34-36页 |
| 3.3.3 锯齿型纳米管 | 第36-40页 |
| 3.4 手性纳米管 | 第40-43页 |
| 3.4.1 机理 | 第42-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-46页 |
| 第4章 二维GaX(X=S,Se,Te)纳米片中与层数有关和层数无关的非线性光学性质 | 第46-62页 |
| 4.1 引言 | 第46-47页 |
| 4.2 计算细节 | 第47-48页 |
| 4.3 结果和讨论 | 第48-58页 |
| 4.3.1 GaX单层 | 第48-53页 |
| 4.3.2 多层GaSe | 第53-58页 |
| 4.4 与实验比较 | 第58-60页 |
| 4.5 本章小结 | 第60-62页 |
| 第5章 单层TMDCS的二次谐波性质及其在产生太赫兹辐射的潜在应用 | 第62-78页 |
| 5.1 引言 | 第62-63页 |
| 5.2 计算模型和细节 | 第63-64页 |
| 5.3 结果和讨论 | 第64-73页 |
| 5.3.1 电子结构 | 第64-65页 |
| 5.3.2 二次谐波系数 | 第65-69页 |
| 5.3.3 太赫兹吸收 | 第69-71页 |
| 5.3.4 太赫兹相位匹配 | 第71-73页 |
| 5.3.5 进一步讨论 | 第73页 |
| 5.4 本章小结 | 第73-78页 |
| 补充材料 | 第74-78页 |
| S-5.1 单层TMDCs的能带结构 | 第74-75页 |
| S-5.2 静态和动态二次谐波系数 | 第75页 |
| S-5.3 静态折射率和双折率 | 第75-78页 |
| 第6章 超薄Α-M2X3(M=Ga,In;X=S,Se)纳米片的奇异电子结构以及优异的原子平面内和平面外二次谐波响应和压电性质 | 第78-92页 |
| 6.1 引言 | 第78-79页 |
| 6.2 计算模型和细节 | 第79页 |
| 6.3 结果和讨论 | 第79-91页 |
| 6.3.1 结构特点 | 第79-81页 |
| 6.3.2 电子结构 | 第81-84页 |
| 6.3.3 二次谐波性质 | 第84-88页 |
| 6.3.4 压电性质 | 第88-91页 |
| 6.4 本章小结 | 第91-92页 |
| 第7章 结论 | 第92-96页 |
| 参考文献 | 第96-114页 |
| 作者简介及在学期间所取得的科研成果 | 第114-116页 |
| 攻读博士学位期间博士发表和完成的论文 | 第116-118页 |
| 致谢 | 第118页 |
