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饱和桥配体连接的双钼二聚体的合成及电子耦合性质研究

摘要第3-5页
ABSTRACT第5-7页
第一章 前言第10-24页
    1.1 电子转移模型化合物的发展进程第10-14页
        1.1.1 构建模型化合物第10-11页
        1.1.2 D-B-A分子的发展第11页
        1.1.3 双钼金属二聚体的研究第11-12页
        1.1.4 混价双钼二聚体的研究第12-14页
    1.2 电子转移理论发展进程第14-16页
        1.2.1 电子转移的双态模型第14-15页
        1.2.2 基于双态模型的混价化合物分类第15-16页
    1.3 电子转移途径第16-19页
        1.3.1 热诱导电子转移第16-17页
        1.3.2 光诱导电子转移第17-19页
    1.4 反应重组能λ的计算第19-20页
    1.5 耦合常数Hab的计算第20页
    1.6 电子转移的两种通道第20-22页
        1.6.1 通过桥的共振作用(Through bond)第20-21页
        1.6.2 通过空间的静电作用(Through space)第21-22页
    1.7 选题的内容及意义第22-24页
第二章 环己烷桥连双钼二聚体的合成及表征第24-41页
    2.1 引言第24页
    2.2 实验部分第24-26页
        2.2.1 原料前驱体化合物的合成第24-25页
        2.2.2 环己烷连双钼二聚体的合成第25-26页
    2.3 核磁表征第26-38页
        2.3.1 原料前驱体化合物核磁表征第26-30页
        2.3.2 饱和桥连双钼二聚体核磁表征第30-34页
        2.3.3 原料前驱体化合物核磁第34-35页
        2.3.4 环己烷桥连双钼二聚体核磁第35-38页
    2.4 单晶结构及数据第38-41页
第三章 环己烷桥连双钼二聚体的光电性质的讨论第41-59页
    3.1 电化学表征及讨论第41-46页
    3.2 电子顺磁共振光谱(EPR)第46-48页
    3.3 紫外可见近红外光谱第48-52页
        3.3.1 中性配合物的紫外可见近红外光谱第48-49页
        3.3.2 单电子氧化产物的紫外可见近红外光谱第49-52页
    3.4 混价化合物的分类第52-53页
    3.5 密度泛函理论DFT计算第53-54页
    3.6 拉曼光谱数据分析第54-58页
    3.7 小结第58-59页
第四章 电子转移距离对饱和桥连双钼配合物性质的影响第59-80页
    4.1 引言第59页
    4.2 配合物的合成第59页
        4.2.1 实验部分第59页
    4.3 核磁表征第59-66页
        4.3.1 丙二酸系列配合物核磁第59页
        4.3.2 丁二酸系列配合物核磁第59-64页
        4.3.3 丙二酸桥连系列双钼二聚体核磁第64-65页
        4.3.4 丁二酸桥连系列双钼二聚体核磁第65-66页
    4.4 配合物晶体结构第66-74页
        4.4.1 丙二酸系列单晶结构第66-70页
        4.4.2 丁酸系列单晶结构第70-74页
    4.5 饱和桥连双钼二聚体的光电性质的讨论第74-77页
        4.5.1 电化学(CV和DPV)第74-77页
    4.6 密度泛函理论对三个系列配合物的性质分析第77-79页
    4.7 小结第79-80页
第五章 饱和桥、共轭桥连双钼配合物的性质对比第80-86页
    5.1 引言第80-81页
    5.2 电化学分析第81-82页
    5.3 紫外可见近红外光谱第82-83页
    5.4 DFT计算第83-84页
    5.5 光诱导电子转移研究第84页
    5.6 小结第84-86页
第六章 结论与展望第86-89页
    6.1 结论第86-87页
    6.2 展望第87-89页
论文参考文献第89-97页
在校期间发表的个人学术论文及相关科研成果第97-98页
致谢第98-99页

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