氮化硼薄膜的微结构及光学性能研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 氮化硼薄膜的研究背景 | 第11页 |
| 1.2 氮化硼的结构、性质和应用 | 第11-16页 |
| 1.2.1 菱面体氮化硼 | 第12页 |
| 1.2.2 纤锌矿型氮化硼 | 第12-13页 |
| 1.2.3 立方氮化硼 | 第13-15页 |
| 1.2.4 六方氮化硼 | 第15-16页 |
| 1.3 六方氮化硼的性质 | 第16-19页 |
| 1.3.1 六方氮化硼的电学性能 | 第16-17页 |
| 1.3.2 六方氮化硼的光学性能 | 第17-18页 |
| 1.3.3 六方氮化硼的物理化学性能 | 第18页 |
| 1.3.4 六方氮化硼与氮化镓、氮化铝比较 | 第18-19页 |
| 1.4 制备六方氮化硼存在的主要问题 | 第19-20页 |
| 1.5 本课题的研究内容与意义 | 第20-21页 |
| 第二章 六方氮化硼薄膜的制备方法与表征原理 | 第21-30页 |
| 2.1 六方氮化硼的制备方法 | 第21-22页 |
| 2.1.1 化学气相沉淀法(CVD) | 第21页 |
| 2.1.2 物理气相沉积法(PVD) | 第21-22页 |
| 2.2 六方氮化硼的表征方法 | 第22-29页 |
| 2.2.1 傅里叶变换红外光谱法 | 第22-23页 |
| 2.2.2 原子力显微镜表征方法 | 第23-25页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜表征方法 | 第25-26页 |
| 2.2.4 X射线光电子能谱 | 第26-27页 |
| 2.2.5 X射线衍射谱法 | 第27-29页 |
| 2.3 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 样品制备与性能表征 | 第30-37页 |
| 3.1 射频磁控溅射原理 | 第30-32页 |
| 3.2 实验设备及材料 | 第32-33页 |
| 3.3 六方氮化硼薄膜的制备 | 第33-34页 |
| 3.3.1 基片清洗 | 第33页 |
| 3.3.2 薄膜制备流程 | 第33-34页 |
| 3.4 样品的稳定性分析 | 第34-36页 |
| 3.5 样品的XRD图谱分析 | 第36页 |
| 3.6 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 参数条件对六方氮化硼薄膜的影响 | 第37-65页 |
| 4.1 溅射时间对六方氮化硼薄膜的影响 | 第37-42页 |
| 4.1.1 溅射时间对光学性能的影响 | 第37-38页 |
| 4.1.2 溅射时间对表面形貌的影响 | 第38-41页 |
| 4.1.3 溅射时间对生长厚度的影响 | 第41-42页 |
| 4.2 衬底温度对六方氮化硼薄膜的影响 | 第42-46页 |
| 4.2.1 衬底温度对光学性能的影响 | 第43-44页 |
| 4.2.2 衬底温度对表面形貌的影响 | 第44-46页 |
| 4.3 溅射功率对六方氮化硼薄膜的影响 | 第46-52页 |
| 4.3.1 溅射功率对光学性能的影响 | 第47-48页 |
| 4.3.2 溅射功率对表面形貌的影响 | 第48-50页 |
| 4.3.3 溅射功率对生长厚度的影响 | 第50-52页 |
| 4.4 负偏压对六方氮化硼薄膜的影响 | 第52-57页 |
| 4.4.1 负偏压对光学性能的影响 | 第52-54页 |
| 4.4.2 负偏压对表面形貌的影响 | 第54-57页 |
| 4.5 氮氩比对六方氮化硼薄膜的影响 | 第57-64页 |
| 4.5.1 氮氩比对光学性能的影响 | 第57-59页 |
| 4.5.2 氮氩比对表面形貌的影响 | 第59-60页 |
| 4.5.3 氮氩比对生长厚度的影响 | 第60-62页 |
| 4.5.4 氮氩比对元素组成的影响 | 第62-64页 |
| 4.6 本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 结论 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第73页 |
