| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9页 |
| 第1章 绪论 | 第14-22页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第14-19页 |
| 1.1.1 研究动机 | 第14-18页 |
| 1.1.2 针对NBTI效应的国内外研究现状 | 第18-19页 |
| 1.2 本文研究工作的内容 | 第19-21页 |
| 1.2.1 课题来源 | 第19-20页 |
| 1.2.2 研究内容 | 第20页 |
| 1.2.3 主要贡献点 | 第20-21页 |
| 1.3 论文的组织结构 | 第21-22页 |
| 第2章 老化基本知识及仿真工具 | 第22-36页 |
| 2.1 老化背景基础知识介绍 | 第22-28页 |
| 2.1.1 引起老化的因素 | 第22-23页 |
| 2.1.2 老化预测技术 | 第23-25页 |
| 2.1.3 老化防护技术 | 第25-28页 |
| 2.2 NBTI效应及其建模 | 第28-32页 |
| 2.2.1 NBTI效应 | 第28-29页 |
| 2.2.2 NBTI建模 | 第29-32页 |
| 2.3 EDA仿真工具 | 第32-35页 |
| 2.3.1 Hspice简介 | 第32-33页 |
| 2.3.2 Hspice的语句和格式 | 第33页 |
| 2.3.3 Design Compiler简介 | 第33页 |
| 2.3.4 基于NBTI效应的数字集成电路静态时序分析软件 | 第33-35页 |
| 2.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第3章 基于NBTI效应自恢复机理的老化防护技术 | 第36-41页 |
| 3.1 基于NBTI效应的Long-Term预测模型 | 第36-37页 |
| 3.2 输入向量控制(IVC)技术 | 第37-39页 |
| 3.3 内部节点控制(INC)技术 | 第39-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 针对NBTI效应的门替换技术抗老化研究 | 第41-51页 |
| 4.1 研究动机 | 第41-42页 |
| 4.2 静态时序分析简介 | 第42-43页 |
| 4.3 考虑RAS的NBTI老化模型 | 第43-44页 |
| 4.4 门替换方法 | 第44-45页 |
| 4.5 设计流程介绍以及门替换算法的实现 | 第45-48页 |
| 4.5.1 基于门替换方法的静态时序分析设计流程框架 | 第45-46页 |
| 4.5.2 潜在关键路径集合的识别 | 第46-47页 |
| 4.5.3 关键门的识别 | 第47页 |
| 4.5.4 门替换算法 | 第47-48页 |
| 4.6 实验结果及分析 | 第48-50页 |
| 4.6.1 实验条件 | 第48页 |
| 4.6.2 实验结果分析 | 第48-50页 |
| 4.7 本章小结 | 第50-51页 |
| 第5章 结束语 | 第51-53页 |
| 5.1 本文工作总结 | 第51页 |
| 5.2 研究工作展望 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术活动及成果情况 | 第56-57页 |
