| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-25页 |
| 1.1 铜硫化物纳米材料的概述 | 第8-9页 |
| 1.2 铜硫化物纳米材料的应用 | 第9-14页 |
| 1.2.1 在锂离子电池方面的应用 | 第9-11页 |
| 1.2.2 在超级电容器方面的应用 | 第11-12页 |
| 1.2.3 在光催化降解方面的应用 | 第12-13页 |
| 1.2.4 在太阳能电池方面的应用 | 第13-14页 |
| 1.3 铜硫化物纳米材料的制备研究 | 第14-19页 |
| 1.3.1 气相法 | 第14-15页 |
| 1.3.2 热解法 | 第15页 |
| 1.3.3 超声微波辅助合成 | 第15-16页 |
| 1.3.4 电化学沉积 | 第16-17页 |
| 1.3.5 化学浴沉积 | 第17页 |
| 1.3.6 水热/溶剂热合成法 | 第17-18页 |
| 1.3.7 热注入法 | 第18-19页 |
| 1.4 液相法制备纳米晶的基本原理 | 第19-23页 |
| 1.4.1 成核过程 | 第20-22页 |
| 1.4.2 生长过程 | 第22页 |
| 1.4.3 熟化过程 | 第22-23页 |
| 1.5 课题的提出 | 第23页 |
| 1.6 课题的研究内容 | 第23-25页 |
| 第二章 实验部分 | 第25-31页 |
| 2.1 实验原料和设备 | 第25-26页 |
| 2.1.1 实验原料 | 第25页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第25-26页 |
| 2.2 实验过程与方案设计 | 第26-27页 |
| 2.2.1 实验过程 | 第26-27页 |
| 2.3 实验方案设计 | 第27-29页 |
| 2.3.1 以硫粉为硫源合成CuS花状晶的实验方案 | 第27-28页 |
| 2.3.2 以硫粉为硫源,氯化铜为铜源合成CuS片状晶的实验方案 | 第28-29页 |
| 2.3.3 硫脲为硫源合成不同形貌和物相的铜硫化物的实验方案 | 第29页 |
| 2.4 分析与测试方法 | 第29-31页 |
| 2.4.1 扫描电子显微镜分析(SEM) | 第30页 |
| 2.4.2 能谱分析(EDS) | 第30页 |
| 2.4.3 X射线衍射分析(XRD) | 第30页 |
| 2.4.4 透射电子显微镜分析(TEM) | 第30页 |
| 2.4.5 紫外-可见光-近红外吸收光谱分析(UV-Vis-NIR) | 第30-31页 |
| 第三章 CuS花状晶微球的制备与特征 | 第31-41页 |
| 3.1 典型条件下合成 CuS 花状晶微球 | 第31-35页 |
| 3.1.1 典型条件下合成CuS花状晶的物相表征 | 第31-32页 |
| 3.1.2 典型条件下合成CuS花状晶的形貌、成分表征 | 第32-33页 |
| 3.1.3 不同时间节点下产物的形貌和物相 | 第33-35页 |
| 3.2 温度对产物物相和形貌的影响 | 第35-38页 |
| 3.3 PVP添加量对产物形貌和物相的影响 | 第38-40页 |
| 3.4 铜源对产物形貌的影响 | 第40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 CuS片状晶的制备和特征 | 第41-47页 |
| 4.1 典型条件下合成CuS片状晶 | 第41-43页 |
| 4.1.1 典型条件下合成CuS片状晶的形貌、物相和成分表征 | 第41-42页 |
| 4.1.2 不同时间节点产物的物相 | 第42-43页 |
| 4.2 TETA添加量对产物形貌和物相的影响 | 第43-45页 |
| 4.3 花状结构和片状结构的CuS的光吸收性能 | 第45-46页 |
| 4.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 硫脲为硫源合成不同形貌和物相的铜硫化物 | 第47-56页 |
| 5.1 反应温度对产物形貌和相组成的影响 | 第47-50页 |
| 5.2 不同时间节点下产物的形貌和物相 | 第50-53页 |
| 5.3 PVP对产物形貌和物相的影响 | 第53-54页 |
| 5.4 合成的CuS-Cu_9S_5混相,Cu_9S_5和Cu_7S_4产物的光吸收性能 | 第54-55页 |
| 5.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 全文结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文和科研情况说明 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
