| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| 1.1 课题研究背景与意义 | 第7-8页 |
| 1.2 国内外发展现状 | 第8-10页 |
| 1.3 论文的主要工作 | 第10-13页 |
| 第二章 4H-SiC 肖特基二极管理论模型与常用终端简介 | 第13-25页 |
| 2.1 4H-SiC 物理模型和材料参数 | 第13-16页 |
| 2.1.1 SDEVICE 求解的基本方程 | 第13-14页 |
| 2.1.2 4H-SiC 材料物理模型及参数 | 第14-16页 |
| 2.2 理想肖特基势垒二极管模型 | 第16-20页 |
| 2.2.1 正向比导通电阻 | 第16-17页 |
| 2.2.2 反向击穿电压 | 第17-18页 |
| 2.2.3 功率优值 | 第18-20页 |
| 2.3 电场集中效应 | 第20页 |
| 2.4 常用终端简介 | 第20-24页 |
| 2.4.1 场板（FP） | 第21-22页 |
| 2.4.2 结终端扩展（JTE） | 第22-23页 |
| 2.4.3 场限环（GR） | 第23-24页 |
| 2.5 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 1200V4H-SiC 半绝缘多晶硅（SIPOS）场板 Ni 肖特基二极管的研究 | 第25-43页 |
| 3.1 半绝缘多晶硅（SIPOS）介质简介 | 第25-26页 |
| 3.2 SIPOS 场板（FP）终端仿真分析 | 第26-28页 |
| 3.3 版图的绘制 | 第28-29页 |
| 3.4 工艺流程 | 第29-33页 |
| 3.4.1 工艺步骤 | 第29-31页 |
| 3.4.2 关键工艺 | 第31-33页 |
| 3.5 SIPOS 介质特性分析 | 第33-36页 |
| 3.5.1 SIPOS 介质 C-V 测试分析 | 第33-35页 |
| 3.5.2 SIPOS 介质耐压分析 | 第35-36页 |
| 3.6 正向 IV 特性测试分析 | 第36-38页 |
| 3.7 反向 IV 特性测试分析 | 第38-41页 |
| 3.7.1 SIPOS FP_SBD 反向击穿电压测试分析 | 第38-40页 |
| 3.7.2 二次钝化聚酰亚胺（PI）作用分析 | 第40-41页 |
| 3.8 本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 1700V4H-SiC 结终端扩展（JTE）肖特基二极管的研究 | 第43-51页 |
| 4.1 形成 JTE 终端的参数优化与工艺确定 | 第43-47页 |
| 4.2 4H-SiC JTE SBD 器件版图设计 | 第47-50页 |
| 4.2.1 版图绘制 | 第47-48页 |
| 4.2.2 工艺流程 | 第48-50页 |
| 4.2.3 关键工艺-离子注入掩模 | 第50页 |
| 4.3 本章总结 | 第50-51页 |
| 第五章 结束语 | 第51-53页 |
| 5.1 工作总结 | 第51-52页 |
| 5.2 研究展望 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 攻读硕士期间参加的科研项目和科研成果 | 第59-60页 |
