InNBi化合物的弹性及压力调制机制研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1. 半导体材料的发展 | 第10-11页 |
| 1.2. Ⅲ-Ⅴ族半导体材料及掺杂研究 | 第11-16页 |
| 1.3. 本课题研究的目的和意义 | 第16-17页 |
| 1.4. 论文的章节安排 | 第17-18页 |
| 第二章 理论基础和计算方法 | 第18-26页 |
| 2.1. 薛定谔方程 | 第18-19页 |
| 2.2. 绝热近似 | 第19页 |
| 2.3. Hartree-Fock近似 | 第19-20页 |
| 2.4. 密度泛函理论 | 第20-23页 |
| 2.4.1. Hohenberg-Kohn定理 | 第21页 |
| 2.4.2. Kohn-Sham方程 | 第21-22页 |
| 2.4.3. 交换关联泛函 | 第22-23页 |
| 2.5. 第一性原理 | 第23页 |
| 2.6. VASP计算软件 | 第23-24页 |
| 2.7. 本章总结 | 第24-26页 |
| 第三章 InNBi化合物的几何结构优化及弹性性质 | 第26-36页 |
| 3.1. 引言 | 第26页 |
| 3.2. 计算模型和计算方法 | 第26-28页 |
| 3.3. 结果与讨论 | 第28-35页 |
| 3.3.1. InNBi化合物的几何结构优化 | 第28-31页 |
| 3.3.2. InNBi化合物的弹性性质 | 第31-35页 |
| 3.4. 本章总结 | 第35-36页 |
| 第四章 压力调制InNBi化合物的相变及弹性 | 第36-48页 |
| 4.1. 引言 | 第36页 |
| 4.2. 计算模型和计算方法 | 第36-38页 |
| 4.3. 结果与讨论 | 第38-46页 |
| 4.3.1. 压力调制InNBi化合物的结构参数 | 第38-40页 |
| 4.3.2. 压力调制InNBi化合物的相变 | 第40-42页 |
| 4.3.3. 压力调制InNBi化合物的弹性 | 第42-46页 |
| 4.4. 本章总结 | 第46-48页 |
| 第五章 总结与展望 | 第48-50页 |
| 5.1. 研究工作总结 | 第48-49页 |
| 5.2. 研究工作展望 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 致谢 | 第54-56页 |
| 攻读硕士期间发表论文情况 | 第56页 |
