| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-19页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 可调谐半导体激光器的种类及发展 | 第8-15页 |
| 1.2.1 可调谐DFB激光器 | 第9-11页 |
| 1.2.2 可调谐DBR激光器 | 第11-12页 |
| 1.2.3 可调谐VCSEL激光器 | 第12-13页 |
| 1.2.4 可调谐外腔激光器 | 第13-14页 |
| 1.2.5 可调激光器的对比 | 第14-15页 |
| 1.2.6 可调谐半导体激光器的应用 | 第15页 |
| 1.3 GaN基激光器研究进展 | 第15-17页 |
| 1.3.1 GaN基固定波长激光器国内外研究进展 | 第15-16页 |
| 1.3.2 GaN基可调谐激光器国内外研究进展 | 第16-17页 |
| 1.4 本文研究目的和意义 | 第17-19页 |
| 第二章 基于GaN材料的DFB激光器基本原理 | 第19-31页 |
| 2.1 氮化镓基本性质概述 | 第19-22页 |
| 2.1.1 GaN的晶格结构及物理性质 | 第19-20页 |
| 2.1.2 GaN的光学性质 | 第20-21页 |
| 2.1.3 GaN的化学性质 | 第21页 |
| 2.1.4 GaN的电学性质 | 第21-22页 |
| 2.2 DFB激光器基本理论 | 第22-23页 |
| 2.3 严格耦合波理论 | 第23-29页 |
| 2.3.1 严格耦合波理论概述 | 第23-24页 |
| 2.3.2 麦克斯韦方程组 | 第24-25页 |
| 2.3.3 波动方程 | 第25-26页 |
| 2.3.4 DFB激光器谐振条件 | 第26-27页 |
| 2.3.5 基于耦合波方程的阈值分析 | 第27-29页 |
| 2.4 介质平板波导理论 | 第29-30页 |
| 2.5 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 基于GaN的DFB激光器光栅谐振腔理论分析与仿真 | 第31-48页 |
| 3.1 基于Comsol软件的DFB激光器光栅谐振腔建模 | 第31-34页 |
| 3.1.1 Comsol概述 | 第31页 |
| 3.1.2 DFB激光器的光栅结构参数计算 | 第31-32页 |
| 3.1.3 DFB激光器的光栅谐振腔建模 | 第32-34页 |
| 3.2 DFB激光器光栅谐振腔结构参数优化分析 | 第34-41页 |
| 3.2.1 光栅高度对谐振峰的影响 | 第34-36页 |
| 3.2.2 光栅宽度对谐振峰的影响 | 第36-39页 |
| 3.2.3 光栅周期对谐振峰的影响 | 第39-41页 |
| 3.3 光栅谐振腔结构参数的敏感性分析 | 第41-45页 |
| 3.3.1 光栅高度对激射波长的敏感性分析 | 第41-44页 |
| 3.3.2 光栅宽度对激射波长的敏感性分析 | 第44页 |
| 3.3.3 增益层厚度对激射波长的敏感性分析 | 第44-45页 |
| 3.4 工作温度对激射波长的影响 | 第45-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 基于MEMS波长可调DFB激光器结构设计 | 第48-58页 |
| 4.1 基于MEMS的波长可调装置设计 | 第48-53页 |
| 4.1.1 MEMS概述 | 第48页 |
| 4.1.2 GaN的机械性能 | 第48-49页 |
| 4.1.3 基于MEMS的波长可调谐实现方式 | 第49-51页 |
| 4.1.4 微型静电驱动器基本原理 | 第51-53页 |
| 4.2 基于GaN波长可调DFB激光器的结构设计及可行性分析 | 第53-57页 |
| 4.2.1 基于GaN波长可调DFB激光器的结构设计 | 第53-54页 |
| 4.2.2 基于GaN波长可调DFB激光器结构的可行性分析 | 第54-56页 |
| 4.2.3 改变施加电压对实现波长可调的模拟仿真 | 第56-57页 |
| 4.3 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 总结与展望 | 第58-60页 |
| 5.1 工作总结 | 第58-59页 |
| 5.2 进一步的工作 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
