| 摘要 | 第2-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-31页 |
| 1.1 石墨烯与石墨烯纳米带 | 第11-19页 |
| 1.1.1 石墨烯介绍 | 第12-15页 |
| 1.1.2 石墨烯纳米带 | 第15-19页 |
| 1.2 单层氮化硼与氮化硼纳米带 | 第19-22页 |
| 1.2.1 单层氮化硼 | 第20-21页 |
| 1.2.2 氮化硼纳米带 | 第21-22页 |
| 1.3 氢气存储介绍 | 第22-25页 |
| 参考文献 | 第25-31页 |
| 第2章 理论基础 | 第31-53页 |
| 2.1 引言 | 第31页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第31-37页 |
| 2.2.1 Kohn-Sham方程 | 第31-33页 |
| 2.2.2 交换关联泛函 | 第33-37页 |
| 2.3 Bloch定理 | 第37-38页 |
| 2.4 正交化平面波方法与赝势 | 第38-42页 |
| 2.4.1 正交平面波方法 | 第38-40页 |
| 2.4.2 赝势方法 | 第40-42页 |
| 2.5 电子自洽和结构优化 | 第42-44页 |
| 2.5.1 电子自洽 | 第42-43页 |
| 2.5.2 结构优化 | 第43-44页 |
| 2.6 范德瓦尔斯作用 | 第44-48页 |
| 参考文献 | 第48-53页 |
| 第3章 含空位氮化硼纳米带的电子结构及自旋无隙半导体 | 第53-71页 |
| 3.1 研究背景与动机 | 第53-54页 |
| 3.2 计算方法与模型 | 第54-55页 |
| 3.3 计算结果与讨论 | 第55-66页 |
| 3.3.1 空位掺杂对结构的影响 | 第56-57页 |
| 3.3.2 硼空位掺杂浓度对体系性质的影响 | 第57-59页 |
| 3.3.3 硼空位掺杂位置对体系性质的影响 | 第59-61页 |
| 3.3.4 硼空位掺杂诱发的磁性 | 第61-62页 |
| 3.3.5 氮空位掺杂体系中的自旋无带隙半导体 | 第62-65页 |
| 3.3.6 sp电子体系的磁性机制 | 第65-66页 |
| 3.4 小结 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 第4章 基团修饰边缘的石墨烯纳米带的电子结构与磁性研究 | 第71-91页 |
| 4.1 研究背景与动机 | 第71-72页 |
| 4.2 计算方法与模型 | 第72-73页 |
| 4.3 计算结果与讨论 | 第73-86页 |
| 4.3.1 O修饰边缘对称性效应 | 第73-78页 |
| 4.3.2 O修饰边缘宽度效应 | 第78-79页 |
| 4.3.3 O修饰边缘浓度效应 | 第79-80页 |
| 4.3.4 CH_2基团修饰边缘 | 第80-83页 |
| 4.3.5 NH修饰边缘 | 第83-85页 |
| 4.3.6 化学键模型理解磁性机制 | 第85-86页 |
| 4.4 小结 | 第86-88页 |
| 参考文献 | 第88-91页 |
| 第5章 石墨炔中的氢气存储 | 第91-103页 |
| 5.1 研究背景与动机 | 第91-93页 |
| 5.2 计算方法与模型 | 第93-94页 |
| 5.3 计算结果与讨论 | 第94-98页 |
| 5.3.1 石墨炔 | 第94-95页 |
| 5.3.2 石墨炔上的氢气吸附 | 第95-96页 |
| 5.3.3 电场的吸附增强作用 | 第96-98页 |
| 5.4 小结与展望 | 第98-100页 |
| 参考文献 | 第100-103页 |
| 第6章 Mn掺杂拓扑绝缘体 | 第103-109页 |
| 6.1 研究背景与动机 | 第103-104页 |
| 6.2 计算方法与模型 | 第104页 |
| 6.3 计算结果与展望 | 第104-107页 |
| 参考文献 | 第107-109页 |
| 第7章 总结与展望 | 第109-111页 |
| 致谢 | 第111-113页 |
| 攻读博士学位期间完成论文及其它 | 第113-114页 |